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BC848BW	文件：1.84399 Mbytes Page：13 Pages	NPNSiliconEpitaxialGeneralPurposeTransistors	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
BC848BW	文件：1.52114 Mbytes Page：11 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORNPNSILICON DESCRIPTION TheBC846AW~BC848CWareavailableinSC-70Package. FEATURES AvailableinSC-70Package	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
BC848BW	文件：446.64 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
BC848BW-G	文件：135.09 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalTransistor Features -Powerdissipation PCM:0.15W(@TA=25°C) -Collectorcurrent ICM:0.1A -Collector-basevoltage VCBO:BC846W=80V BC847W=50V BC848W=30V	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BC848BW-G	文件：129.77 Kbytes Page：6 Pages	SmallSignalTransistor Features -Powerdissipation PCM:0.15W(@TA=25°C) -Collectorcurrent ICM:0.1A -Collector-basevoltage VCBO:BC846W=80V BC847W=50V BC848W=30V	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BC848BWQ	文件：876.94 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
BC848BW-TP	文件：794.27 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeTransistors Features •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V) •CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificationRating94V-0andMSLRating1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC848C	文件：371.85 Kbytes Page：3 Pages	NPNSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •EpitaxialDieConstruction •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •310mWPowerDissipation •ComplementaryPNPTypesAvailable(BC856-BC858) •ForSwitchingandAFAmplifierApplications	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
BC848C	文件：216.64 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconAFTransistors •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30Hzand15kHz •Complementarytypes: BC856...-BC860...(PNP) •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC848C	文件：105.72 Kbytes Page：2 Pages	NPNSmallSignalTransistor310mW Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •PowerDissipation:0.225W(Tamb=25°C)(Note1) •CollectorCurrent:0.1A •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

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详细参数

型号：
BC848B-G
功能描述：
两极晶体管 - BJT SM SIGNAL TRANSISTOR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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