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BC848B-G	文件：156.63 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal Transistor Features -PowerdissipationPCM:0.20W(@TA=25°C) -CollectorcurrentICM:0.1A -Collector-basevoltageVCBO:BC846=80VBC847=50VBC848=30V -Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:TJ,TSTG=-65to+150°C	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BC848BHZG	文件：1.3651 Mbytes Page：8 Pages	NPNGeneralpurposetransistor	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BC848BL	文件：888.85 Kbytes Page：6 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORSNPNSILICON DESCRIPTION The BC846AL/BLA847848AL/CLare availableinSOT23package. FEATURES ⚫Highcurrentgain ⚫ExcellenthFElinearity ⚫Lownoisebetween30Hzand15kHz ⚫ForAFinputstagesanddriverapplications ⚫AvailableinSOT23package APPLICATIONS ⚫Ge	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
BC848BMTF	文件：149.1 Kbytes Page：5 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Features •SwitchingandAmplifierApplications •Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits •LowNoise:BC849,BC850 •ComplementtoBC856...BC860	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC848BP	文件：148.29 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposeNPNTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC848BP	文件：130.03 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposeNPNTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC848BPDW	文件：987.1 Kbytes Page：11 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORNPN/PNPDUAL(COMPLIMENTARY) DESCRIPTION Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSC–88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications.WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.TheBC846BPDW~BC848CPDWisavailableinSC–88	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
BC848BQ	文件：253.45 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
BC848BRF	文件：218.43 Kbytes Page：3 Pages	250mW,NPNSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC848BRFG	文件：218.43 Kbytes Page：3 Pages	250mW,NPNSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

详细参数

型号：
BC848B-G
功能描述：
两极晶体管 - BJT SM SIGNAL TRANSISTOR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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