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BC848A	文件：202.39 Kbytes Page：4 Pages	NPN general purpose Transistor FEATURES •Highcurrentgain. •ExcellenthFElinearity. •Lownoisebetween30Hzand15kHz. •ForAFinputstagesanddriverapplications. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC848A	文件：164.92 Kbytes Page：3 Pages	SMD General Purpose Transistor (NPN) Features •NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorforSwitchingandAmplifierApplications	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
BC848A	文件：210.45 Kbytes Page：4 Pages	NPN general purpose Transistor FEATURES •Highcurrentgain. •ExcellenthFElinearity. •Lownoisebetween30Hzand15kHz. •ForAFinputstagesanddriverapplications. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd. 平盛电子深圳市平盛电子有限公司	PFS
BC848A	文件：2.00929 Mbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES •Ideallysuitedforautomaticinsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
BC848A	文件：307.88 Kbytes Page：3 Pages	BC846A FEATURES •Collectcurrent:0.1A •GeneralPurposeTransistorNPNType •RoHScompliantproduct •OperatingTemp.:-55OC~+150OC	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC848A	文件：194.55 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Transistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
BC848A	文件：301.49 Kbytes Page：6 Pages	Marking：1J；Package：SOT-23；Small Signal Transistors (NPN) FEATURES ♦NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistors forswitchingandAFamplifierapplications. ♦Especiallysuitedforautomaticinsertionin thick-andthin-filmcircuits. ♦Thesetransistorsaresubdividedintothree groupsA,BandCaccordingtotheircurrentgain.The typ	GE GE Industrial Company	GE
BC848A	文件：857.31 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Transistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亚昕科技亚昕科技股份有限公司	YEASHIN
BC848A	文件：121.72 Kbytes Page：9 Pages	SMD NPN Transistor GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating–HumanBodyModel:>4000V,MachineModel:>400V •Epitaxialplanachipconstruction •Idealformediumpowerapplicationandswitching •Ascomplementarytype,thePNPtransistor	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
BC848A	文件：619.9 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ForgeneralAFapplications Highcollectorcurrent Highcurrentgain Lowcollector-emittersaturationvoltage	OLITECHOlitech Electronics Co.,Ltd 奥力特电子奥力特电子科技有限公司	OLITECH

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详细参数

型号：
BC848A
功能描述：
两极晶体管 - BJT Transistor 200mW
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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