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BC847PN	文件：128.1 Kbytes Page：2 Pages	ComplementarySurfaceMountGeneralPurposeSi-PlanarTransistors Features TwocomplementarytransistorsinonepackageGeneralPurpose ComplianttoRoHS,REACH, ConflictMinerals1) TypicalApplications Signalprocessing,Switching,Amplification Commercialgrade1) MechanicalData1) Tapedandreeled3000/7“ Weightapprox.0.01	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC847PN	文件：699.05 Kbytes Page：3 Pages	Multi-ChipTransistor FEATURE •EpitaxialDieConstruction •TwointernalisolatedNPN/PNPtransistorsinonepackage •PowerDissipation PCM:0.2W(Temp.=25˚C) •CollectorCurrent ICM:0.1A •Collector-baseVoltage V(BR)CBO:50/-50V •Operating&StorageJunctionTemperature TJ,TSTG:	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC847PN	文件：94.97 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYPAIRSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialDieConstruction •TwoInternallyIsolatedNPN/PNPTransistorsinonepackage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •GreenDevice(Notes3and4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC847PN	文件：320.21 Kbytes Page：5 Pages	PNPandNPNSmallSignalTransistor200mW Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponr	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC847PN	文件：229.97 Kbytes Page：6 Pages	NPN/PNPSiliconAFTransistorArray(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage) NPN/PNPSiliconAFTransistorArray •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedNPN/PNPTransistorsinonepackage	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC847PN	文件：268.65 Kbytes Page：4 Pages	SmallSurfaceMountTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●TwointernalisolatedNPN/PNPTransistors Inonepackage. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●Idealforlowpoweramplificationandswitching.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC847PN	文件：298.12 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors Features ●EpitaxialDieConstruction ●TwointernalisolatedNPN/PNPTransistorsin onepackage ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage MechanicalData ●Case:SOT-363,MoldedPlastic ●Casematerial-ULFlammabilityRating Classification94V-0 ●Moisturesensitivity:Level1perJ-ST	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
BC847PN	文件：2.03772 Mbytes Page：6 Pages	DUALTRANSISTOR(NPNPNP) DUALTRANSISTOR(NPN+PNP) FEATURES ●EpitaxialDieConstruction ●TwoisolatedNPN/PNP(BC847W+BC857W)Transistorsinonepackage	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
BC847PN	文件：458.8 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYPAIRSMALLSIGNALTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC847PN	文件：617.92 Kbytes Page：2 Pages	EpitaxialDieConstruction Features EpitaxialDieConstruction TwointernalisolatedNPN/PNPTransistorsin onepackage Ultra-SmallSurfaceMountPackage	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY

产品属性

产品编号：
BC847CW-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SOT-323
描述：
TRANS NPN 45V 0.1A SOT323

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	BC847CW-TP	MCC	24+	SOT-323	7500		询价
深圳市艾宇欣科技有限公司	BC847CW-TP	Micro	1942+	N/A	3568	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
深圳市科雨电子有限公司	BC847CW-TP	MICRO	1809+	SOT-323	6675	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
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深圳市博中泰实业有限公司	BC847CW二极管	恩XP	24+	SOT323	60000		询价
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更多BC847CW-TP供应商更新时间2025-7-13 10:50:00

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