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BC847S	文件：42.39 Kbytes Page：1 Pages	NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Features ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
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BC847S	文件：284.94 Kbytes Page：3 Pages	Multi-ChipTransistor Features Powerdissipation PCM:0.3W(Tamp.=25°C) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:50V Operating&StoragejunctionTemperature Tj,Tstg:-55°C~+150°C	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
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BC847S	文件：843.23 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconAFTransistorArrays NPNSiliconAFTransistorArrays •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedtransistors withgoodmatchinginonepackage •BC846S/U,BC847S:Fororientationinreelsee packageinfo	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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