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BC847QAS	文件：204.25 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mANPN/NPNgeneral-purposetransistor Generaldescription NPN/NPNgeneral-purposetransistorinaleadlessultrasmallDFN1010B-6(SOT1216)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNP/PNPcomplement:BC857QAS. NPN/PNPcomplement:BC847QAPN. Featuresandbenefits •Reducescomponentcount •Reducespickandplacecosts •A	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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BC847S	文件：42.39 Kbytes Page：1 Pages	NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Features ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
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BC847S	文件：156.12 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconAFTransistorArray(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgain) NPNSiliconAFTransistorArray •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedTransistorswithhighmatchinginonepackage	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BC847S	文件：57.7 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconAFTransistorArray NPNSiliconAFTransistorArrays •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedtransistors withgoodmatchinginonepackage •BC846S/U,BC847S:Fororientationinreelsee packageinfo	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BC847S	文件：73.89 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors Features Twotransistorsinonepackage GeneralPurpose ComplianttoRoHS,REACH,ConflictMinerals1) TypicalApplications Signalprocessing,Switching,Amplification Commercialgrade1) MechanicalData1) Tapedandreeled3000/7“ Weightapprox.0.01g Case	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC847S	文件：51.51 Kbytes Page：5 Pages	NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsatcollectorcurrentsto200mA.SourcedfromProcess07.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC847S	文件：101.76 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarDouble-Transistors	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec

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