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BC847BV-TP	文件：165.37 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors Features •EpitaxialDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(BC857BV) •Ultra-smallSurfaceMountPackage •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC847BW	文件：50.18 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSC70;SOT323plasticpackage. PNPcomplements:BC856WandBC857W. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC847BW	文件：229.84 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC856W,BC857W,BC858W,BC859W,BC860W(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC847BW	文件：272.32 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconAFTransistor(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC847BW	文件：198.76 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistorNPNSilicon GeneralPurposeTransistor NPNSilicon PbLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC847BW	文件：84.89 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage.PNPcomplements:BC856,BC857andBC858. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC847BW	文件：367 Kbytes Page：3 Pages	NPNSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC847BW	文件：117.77 Kbytes Page：6 Pages	NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS FEATURES •Generalpurposeamplifierapplications •NPNepitaxialsilicon,planardesign •CollectorcurrentIC=100mA •BothnormalandPbfreeproductareavailable: Normal:80~95Sn,5~20Pb Pbfree:98.5Snabove	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC847BW	文件：50.01 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeTransistor ■Features ●Lowcurrent(max.100mA). ●Lowvoltage(max.65V).	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC847BW	文件：794.27 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeTransistors Features •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V) •CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificationRating94V-0andMSLRating1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

产品属性

产品编号：
BC847BT-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-523
供应商器件封装：
SOT-523
描述：
TRANS NPN 45V 0.1A SOT523

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