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BC847BV	文件：300.32 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC847BV	文件：191.43 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposedoubletransistor Featuresandbenefits •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6mmx1.2mmx0.55mmultrathinpackage •Excellentcoplanarityduetostraightleads •Lowcollectorcapacitance •Improvedthermalbehaviourduetoflatleads •ReducesnumberofcomponentsasreplacementoftwoSC-75	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847BVC	文件：182.56 Kbytes Page：3 Pages	NPNDUALSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>45V •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC847BVC	文件：110.8 Kbytes Page：4 Pages	NPNDUALSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC847BVC	文件：233.54 Kbytes Page：6 Pages	NPNDUALSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC847BVN	文件：63.33 Kbytes Page：8 Pages	NPN/PNPgeneralpurposetransistor DESCRIPTION NPN/PNPtransistorpairinaSOT666plasticpackage. FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6mmx1.2mmultrathinpackage •Excellentcoplanarityduetostraightleads •ReplacestwoSC-75/SC-89packagedtransistorson samePCBarea •ReducedrequiredPC	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC847BVN	文件：228.54 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYPAIRSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialDieConstruction •TwoInternallyIsolatedNPN/PNPTransistorsinOnePackage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHig	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC847BVN	文件：143.51 Kbytes Page：8 Pages	NPN/PNPgeneralpurposetransistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC847BVN	文件：200.96 Kbytes Page：9 Pages	45V,100mANPN/PNPgeneralpurposetransistor Featuresandbenefits •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6mmx1.2mmultrathinpackage •ReplacestwoSC-75/SC-89packagedtransistorsonsamePCBarea •ReducedrequiredPCBarea •Reducedpickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847BVNQ	文件：396.22 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYPAIRSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialDieConstruction •TwoInternallyIsolatedNPN/PNPTransistorsinOnePackage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •Halogen-andAntimony-Free.“Green”Device(Note3) •TheBC847BVNQaresuitableforautomotiveap	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

产品属性

产品编号：
BC847BT-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-523
供应商器件封装：
SOT-523
描述：
TRANS NPN 45V 0.1A SOT523

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