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BC847BS	文件：45.65 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposedoubletransistor Generaldescription NPN/NPNmatcheddoubletransistorsinsmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages.Thetransistorsarefullyisolatedinternally. Features ■Currentgainmatching ■Base-emittervoltagematching ■Drop-inreplacementforstandarddoubletransistors Applications ■	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC847BS	文件：115.93 Kbytes Page：15 Pages	NPN/NPNmatcheddoubletransistors Generaldescription NPN/NPNmatcheddoubletransistorsinsmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages.Thetransistorsarefullyisolatedinternally. Features ■Currentgainmatching ■Base-emittervoltagematching ■Drop-inreplacementforstandarddoubletransistors Applications ■	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC847BS	文件：350.38 Kbytes Page：3 Pages	DUALNPNSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC847BS	文件：140.48 Kbytes Page：5 Pages	NPNGENERALPURPOSEDUALTRANSISVOL VOLTAGE45VoltsPOWER150mWatts FEATURES •Generalpurposeamplifierapplications •PNPepitaxialsilicon,planardesign •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC847BS	文件：229.38 Kbytes Page：5 Pages	DualNPNSmallSignalTransistor300mW Features ●LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ●IdeallySuitedforAutomaticInsertion ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications ●EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ●MoisureSensitivi	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC847BS	文件：286.24 Kbytes Page：5 Pages	DualNPNSmallSignalTransistor300mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC847BS	文件：92.55 Kbytes Page：12 Pages	45V,100mANPN/NPNgeneral-purposetransistor Generaldescription NPN/NPNgeneral-purposetransistorpairinaverysmallSOT363(SC-88)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNP/PNPcomplement:BC857BS. Features ■Lowcollectorcapacitance ■Lowcollector-emittersaturationvoltage ■Closelymatchedcurrentgain ■Reducesnumb	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC847BS	文件：112.44 Kbytes Page：3 Pages	DUALNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomatedInsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •GreenDevice(Note4and5)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC847BS	文件：55.55 Kbytes Page：3 Pages	DUALNPNSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •IdeallySuitedforAutomatedInsertion •ForswitchingandAFAmplifierApplication •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighRe	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC847BS	文件：199.53 Kbytes Page：3 Pages	NPNMulti-chipGeneralPurposeAmplifier NPNMulti-chipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsatcollectorcurrentsto200mA.SourcedfromProcess07.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
BC847BRTC
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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