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BC847BS	文件：286.24 Kbytes Page：5 Pages	DualNPNSmallSignalTransistor300mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC847BS	文件：112.44 Kbytes Page：3 Pages	DUALNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomatedInsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •GreenDevice(Note4and5)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC847BS	文件：55.55 Kbytes Page：3 Pages	DUALNPNSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •IdeallySuitedforAutomatedInsertion •ForswitchingandAFAmplifierApplication •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighRe	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC847BS	文件：199.53 Kbytes Page：3 Pages	NPNMulti-chipGeneralPurposeAmplifier NPNMulti-chipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsatcollectorcurrentsto200mA.SourcedfromProcess07.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC847BS	文件：111.34 Kbytes Page：3 Pages	NPNGENERALPURPOSEAMPLIFIER ■DESCRIPTION TheUTCBC847BSisadualNPNtransistors;itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomershighDCcurrentgain,lowpowerdissipationandlowcollector-emittersaturationvoltage. TheUTCBC847BSissuitableforahighgain,lownoiseandgeneralpurposeamplifier. ■FEATU	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
BC847BS	文件：323.27 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors Features ●IdeallySuitedforAutomaticInsertion ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
BC847BS	文件：697.91 Kbytes Page：4 Pages	DualNPNSmallSignalSurfaceMountTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●DualNPNsmallsignalsurfacemounttransistor.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BC847BS	文件：617.47 Kbytes Page：5 Pages	DualNPNSmallSignalTransistor Features ●EpoxymeetsUL-94V-0flammabilityrating ●SurfacemountpackageideallySuitedforAutomaticInsertion ●NPN MechanicalData ●Package:SOT-363 ●Terminals:Tinplatedleads,solderableperJ-STD-002andJESD22-B102 ●Marking:1C	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
BC847BS	文件：1.31146 Mbytes Page：7 Pages	NPNPlasticEncapsulateTransistor FEATURES •Ideallysuitedforautomaticinsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC847BS	文件：601.62 Kbytes Page：2 Pages	IdeallySuitedforAutomaticInsertionforSwitchingandAFAmplifierApllication Features ●IdeallySuitedforAutomaticInsertion ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY

产品属性

产品编号：
BC847BQB-QZ
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装，可润湿侧翼
封装/外壳：
3-XDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
DFN1110D-3
描述：
SMALL SIGNAL BIPOLAR IN DFN PACK

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