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BC847BDW1T3G	文件：144.9 Kbytes Page：11 Pages	Dual General Purpose Transistors Dual General Purpose Transistors NPN Duals These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT−363/SC−88 which is designed for low power surface mount applications. Features • S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications Requiri 文件：144.9 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC847BDW1T3G	文件：133.42 Kbytes Page：10 Pages	Dual General Purpose Transistors These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT−363/SC−88 which is designed for low power surface mount applications. Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：133.42 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC847BDW1	文件：110.48 Kbytes Page：11 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：110.48 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC847BDW1T1G	文件：110.48 Kbytes Page：11 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：110.48 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC847BDW1T3G	文件：110.48 Kbytes Page：11 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：110.48 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC847BDW	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL TRANSISTOR(NPN+NPN)	LIXI 力芯微电子	LIXI
BC847BDW1T1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistors	Willas 威伦电子	Willas
BC847BDW1T3G	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 50V Dual NPN	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
Dual NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.25
IC Cont. (A)：
0.1
VCEO Min (V)：
45
VCBO (V)：
50
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.7
VBE(on) (V)：
0.66
hFE Min：
200
hFE Max：
450
fT Min (MHz)：
100
PTM Max (W)：
0.38
Package Type：
SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6

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更多BC847BDW供应商更新时间2025-10-12 16:10:00

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