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BC847BDW	文件：201.5 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistor NPN Duals GeneralPurposeTransistor NPNDuals	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC847BDW	文件：929.83 Kbytes Page：6 Pages	Dual General Purpose Transistors DualGeneralPurposeTransistors NPNDuals Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT–363/SC–88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications.	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亚昕科技亚昕科技股份有限公司	YEASHIN
BC847BDW	文件：734.23 Kbytes Page：3 Pages	丝印：1Ft；Package：SOT-363；SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors APPLICATION Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BC847BDW	文件：606.83 Kbytes Page：3 Pages	丝印：1FT；Package：SOT-363；Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Twotransistorsinonepackage Reducesnumberofcomponentsandboardspace Nomutualinterferencebetweenthetransistors	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
BC847BDW	文件：2.41026 Mbytes Page：15 Pages	丝印：1F；Package：SOT363；NPN Silicon Epitaxial General Purpose Transistors	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
BC847BDW	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL TRANSISTOR(NPN+NPN);	LIXILIXIN MICROELECTRONICS 力芯微电子深圳市力芯微电子有限公司	LIXI
BC847BDW1T1	文件：106.43 Kbytes Page：6 Pages	Dual General Purpose Transistors Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−363/SC−88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. •DeviceMarking: BC846BDW1T1=1B BC847BDW1T1=1F BC848CDW1T1=1L Features •Pb−FreePackageisAvail	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC847BDW1T1	文件：459.88 Kbytes Page：5 Pages	Dual General Purpose Transistors DualGeneralPurposeTransistors NPNDuals Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT–363/SC–88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications.	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
BC847BDW1T1G	文件：106.43 Kbytes Page：6 Pages	Dual General Purpose Transistors Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−363/SC−88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. •DeviceMarking: BC846BDW1T1=1B BC847BDW1T1=1F BC848CDW1T1=1L Features •Pb−FreePackageisAvail	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC847BDW1T1G	文件：133.42 Kbytes Page：10 Pages	Dual General Purpose Transistors Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−363/SC−88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
Dual NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.25
IC Cont. (A)：
0.1
VCEO Min (V)：
45
VCBO (V)：
50
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.7
VBE(on) (V)：
0.66
hFE Min：
200
hFE Max：
450
fT Min (MHz)：
100
PTM Max (W)：
0.38
Package Type：
SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6

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更多BC847BDW供应商更新时间2025-7-30 10:16:00

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