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BC847CS	文件：138.77 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORS FEATURES •GeneralPurposeAmplifierApplications •CollectorCurrentIC=-100mA •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC847CS	文件：1.31146 Mbytes Page：7 Pages	NPNPlasticEncapsulateTransistor FEATURES •Ideallysuitedforautomaticinsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC847CT	文件：46.98 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinanSC-75plasticpackage. PNPcomplements:BC856TandBC857T. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification,especially inportablecommunicationequipment •Electronicdataproce	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC847CT	文件：59.2 Kbytes Page：3 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>45V •IC=100mACollectorCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryPNPType:MMBT3906T •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qualifie	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC847CT	文件：229.15 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes: BC856T,BC857T, BC858T,BC859T,BC860T	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC847CT	文件：84.05 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistorNPNSilicon GeneralPurposeTransistor NPNSilicon p/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC847CT	文件：84.89 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage.PNPcomplements:BC856,BC857andBC858. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC847CT	文件：353.12 Kbytes Page：3 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC847CT	文件：195.95 Kbytes Page：3 Pages	NPNgeneralpurposeTransistor FEATURES ●Ideallysuitedforautomaticinsertion. ●ForswitchingandAFamplifierapplication. APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplification.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC847CT	文件：84.85 Kbytes Page：3 Pages	NPNSurfaceMountSmallSignalTransistor150mW Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpitaxialDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(BC857AT,BT,CT) •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •Epoxy	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

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深圳市卓越微芯电子有限公司	BC847-C-RTK	KEC	2020+	SOT23	1980	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
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