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BC846S	文件：695.99 Kbytes Page：4 Pages	NPNgeneralpurposeTransistor FEATURES ●Highcurrentgain. ●ExcellenthFElinearity. ●Lownoisebetween30Hzand15kHz. ●ForAFinputstagesanddriverapplications. APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplification.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BC846S	文件：233.53 Kbytes Page：9 Pages	NPNgeneralpurposedoubletransistor Featuresandbenefits •Twotransistorsinonepackage •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC846S	文件：1.985 Mbytes Page：6 Pages	NPNNPNPlastic-EncapsulateTransistors Features Highcurrentgain Excellenthrelinearity Lownoise	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
BC846S-A	文件：277.78 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating–HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC846S-B	文件：277.78 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating–HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC846S-C	文件：277.78 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating–HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC846SH	文件：230.84 Kbytes Page：10 Pages	65V,100mANPN/NPNgeneral-purposedoubletransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •High-temperatureapplicationsupto175°C	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC846SH-Q	文件：235.76 Kbytes Page：10 Pages	65V,100mANPN/NPNgeneral-purposedoubletransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •High-temperatureapplicationsupto175°C •QualifiedaccordingtoA	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC846S-Q	文件：222.05 Kbytes Page：11 Pages	NPNgeneralpurposedoubletransistor Featuresandbenefits •Twotransistorsinonepackage •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC846T	文件：46.98 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinanSC-75plasticpackage. PNPcomplements:BC856TandBC857T. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification,especially inportablecommunicationequipment •Electronicdataproce	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

产品属性

产品编号：
BC846CW RFG
制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SOT-323
描述：
TRANS NPN 65V 0.1A SOT323

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