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BC846PN	文件：68.14 Kbytes Page：6 Pages	NPN/PNPSiliconAFTransistorArray(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgain) NPN/PNPSiliconAFTransistorArray •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedNPN/PNP Transistorsinonepackage	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC846PN	文件：59.88 Kbytes Page：6 Pages	NPN/PNPSiliconAFTransistorArray NPN/PNPSiliconAFTransistorArrays •ForAFinputstageanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedNPN/PNP transistorinonepackage •Pb-free(RoHScompliant)package •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC846PN	文件：1.51451 Mbytes Page：6 Pages	SOT-363Plastic-EncapsulateTransistors Features EpitaxialDieConstruction TwoisolatedNPN/PNP(BC846W+BC856W)Transistorsinonepackage	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BC846-Q	文件：222.98 Kbytes Page：11 Pages	65V,100mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •General-purposetransistors •SMDplasticpackages •Twodifferentgainselections •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC846S	文件：73.89 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors Features Twotransistorsinonepackage GeneralPurpose ComplianttoRoHS,REACH,ConflictMinerals1) TypicalApplications Signalprocessing,Switching,Amplification Commercialgrade1) MechanicalData1) Tapedandreeled3000/7“ Weightapprox.0.01g Case	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC846S	文件：58.05 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconAFTransistorArray NPNSiliconAFTransistorArrays •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedtransistors withgoodmatchinginonepackage •BC846S/U,BC847S:Fororientationinreelsee packageinfo	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC846S	文件：40.72 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconAFTransistorArray(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgain) NPNSiliconAFTransistorArray •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedTransistorswithhighmatchinginonepackage	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC846S	文件：50.43 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposedoubletransistor DESCRIPTION NPNdoubletransistorinanSC-88(SOT363)plasticsixleadpackage. FEATURES •Twotransistorsinonepackage •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandsmallsignalamplification	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC846S	文件：101.76 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarDouble-Transistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC846S	文件：103.35 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulateMulti-Chip(NPNNPN)Transistor FEATURES ●Twotransistorsinonepackage ●Reducesnumberofcomponentsandboardspace ●Nomutualinterferencebetweenthetransistors	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

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产品属性

产品编号：
BC846CW RFG
制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SOT-323
描述：
TRANS NPN 65V 0.1A SOT323

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