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BC846CW	文件：198.76 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistorNPNSilicon GeneralPurposeTransistor NPNSilicon PbLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC846CW	文件：47.87 Kbytes Page：2 Pages	NPNSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •ComplementaryPNPTypes:BC856W–BC858W •ForSwitchingandAFAmplifierApplications •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101Standardsfor	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC846CW	文件：236.02 Kbytes Page：6 Pages	NPNTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC846CW	文件：334.98 Kbytes Page：5 Pages	NPNTransistor FEATURES -Lowreversecurrent,highreliability -Surfacedevicetypemounting -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeversionandRoHScompliant -PackingcodewithsuffixGmeansgreencompound(halogen-free)	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC846CW	文件：1.84399 Mbytes Page：13 Pages	NPNSiliconEpitaxialGeneralPurposeTransistors	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
BC846CW	文件：446.64 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
BC846DS	文件：109.72 Kbytes Page：12 Pages	65V,100mANPN/NPNgeneral-purposetransistor Generaldescription NPN/NPNgeneral-purposetransistorpairinasmallSOT457(SC-74)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■Lowcollectorcapacitance ■Lowcollector-emittersaturationvoltage ■Closelymatchedcurrentgain ■Reducesnumberofcomponentsandboardspace ■	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC846DS	文件：640.29 Kbytes Page：12 Pages	65V,100mANPN/NPNgeneral-purposetransistor Features Lowcollectorcapacitance Lowcollector-emittersaturationvoltage Closelymatchedcurrentgain Reducesnumberofcomponentsandboardspace Nomutualinterferencebetweenthetransistors AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC846DW	文件：2.41026 Mbytes Page：15 Pages	NPNSiliconEpitaxialGeneralPurposeTransistors	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
BC846F	文件：86.24 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor(GeneralpurposeapplicationSwitchingapplication) Descriptions •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •Highvoltage:VCEO=55V •ComplementarypairwithBC856F	AUK AUK corp	AUK

详细参数

型号：
BC846CMTF_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT SOT-23 NPN GP AMP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多BC846CMTF_Q供应商更新时间2025-5-20 11:00:00

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