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BC846B-QR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 65V 0.1A TO236AB	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
BC846BRF	文件：218.43 Kbytes Page：3 Pages	250mW,NPNSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC846BRFG	文件：218.43 Kbytes Page：3 Pages	250mW,NPNSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC846BS	文件：140.91 Kbytes Page：4 Pages	NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS VOLTAGE45/65VoltsPOWER150mWatts FEATURES •Generalpurposeamplifierapplications •NPNepitaxialsilicon,planardesign •CollectorcurrentIC=100mA •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC846BS	文件：343.41 Kbytes Page：4 Pages	DualNPNSmallSignalTransistor200mW Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ForSwitchingandAFAmplifierAp	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC846BS	文件：372.83 Kbytes Page：4 Pages	DualNPNSmallSignalTransistor200mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC846BS	文件：1.31146 Mbytes Page：7 Pages	NPNPlasticEncapsulateTransistor FEATURES •Ideallysuitedforautomaticinsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC846BS	文件：695.99 Kbytes Page：4 Pages	NPNgeneralpurposeTransistor FEATURES ●Highcurrentgain. ●ExcellenthFElinearity. ●Lownoisebetween30Hzand15kHz. ●ForAFinputstagesanddriverapplications. APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplification.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BC846BS	文件：246.86 Kbytes Page：12 Pages	65V,100mANPN/NPNgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC846BSH	文件：235.65 Kbytes Page：10 Pages	65V,100mANPN/NPNgeneral-purposedoubletransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •High-temperatureapplicationsupto175°C	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

产品属性

产品编号：
BC846B-QR
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101, BC846x-Q
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
TO-236AB
描述：
TRANS NPN 65V 0.1A TO236AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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