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BC846B	文件：371.85 Kbytes Page：3 Pages	NPNSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •EpitaxialDieConstruction •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •310mWPowerDissipation •ComplementaryPNPTypesAvailable(BC856-BC858) •ForSwitchingandAFAmplifierApplications	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
BC846B	文件：61.48 Kbytes Page：3 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORNPNSILICON GeneralPurposeTransistor NPNSilicon	ZOWIEZowie Technology Corporation 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE
BC846B	文件：80.39 Kbytes Page：10 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage.PNPcomplements:BC856,BC857andBC858. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC846B	文件：194.55 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
BC846B	文件：277.22 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistorNPNSilicon GeneralPurposeTransistor NPNSilicon MoistureSensitivityLevel:1 ESDRating-HumanBodyModel:>4000V -MachineModel:>400V	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC846B	文件：277.86 Kbytes Page：4 Pages	NPNSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •ComplementaryPNPTypesAvailable(BC856-BC858) •ForSwitchingandAFAmplifierApplications •LeadFree/RoHSCompliant(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC846B	文件：202.39 Kbytes Page：4 Pages	NPNgeneralpurposeTransistor FEATURES •Highcurrentgain. •ExcellenthFElinearity. •Lownoisebetween30Hzand15kHz. •ForAFinputstagesanddriverapplications. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC846B	文件：126.96 Kbytes Page：3 Pages	0.2WattsNPNPlastic-EncapsulateTransistors Features ♦Epitaxialplanardieconstruction ♦Surfacedevicetypemounting ♦Moisturesensitivitylevel1 ♦MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate ♦PbfreeversionandRoHScompliant ♦Greencompound(Halogenfree)withsuffixGonpackingcodeandprefixGondat	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC846B	文件：504.42 Kbytes Page：6 Pages	NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS FEATURES •Generalpurposeamplifierapplications •NPNepitaxialsilicon,planardesign •CollectorcurrentIC=100mA •Pbfreeproductareavailable:99SnabovecanmeetRohsenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC846B	文件：41.67 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeTransistor ■Features ●Ideallysuitedforautomaticinsertion ●ForswitchingandAFamplifierapplications	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

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