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BC846APN	文件：138.75 Kbytes Page：5 Pages	DUALSURFACEMOUNTNPN/PNPTRANSISTORS(COMPLIMENTARY) Thisdevicecontainstwoelectrically-isolatedcomplimentlypair(NPNandPNP)general-purpose transisotrs.Thisdeviceisidealforportableapplicationswhereboardspaceisatapremium VOLTAGE65VoltsCURRENT225mWatts FEATURES •Electrically-IsolatedComplimentaryTransistorPairs •In	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC846AQ	文件：253.45 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
BC846A-Q	文件：222.98 Kbytes Page：11 Pages	65V,100mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •General-purposetransistors •SMDplasticpackages •Twodifferentgainselections •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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BC846AQC-Q	文件：249.37 Kbytes Page：12 Pages	65V,100mANPNgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Highpowerdissipationcapability •Highvoltage(max.65V) •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint •SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages •Lowpackageheightof0.5mm •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecomme	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
BC846AMTF_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT SOT-23 NPN GP AMP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC846AMTF_Q供应商更新时间2025-5-20 14:35:00

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