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BC817-40-QR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 45V 0.5A TO236AB	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
BC817-40RF	文件：81.13 Kbytes Page：2 Pages	300mW,NPNSmallSignalTransistor FEATURES -Lowpowerloss,highcurrentcapability,lowVF -Surfacemountdevicetype -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeandRoHScomplian -PackingcodewithsuffixGmeans greencompound(halogen-free)	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC817-40RFG	文件：255.28 Kbytes Page：4 Pages	300mW,NPNSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC817-40-TP	文件：243.49 Kbytes Page：4 Pages	NPNSmallSignalTransistor310mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC817-40W	文件：69.57 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeNPNTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC817-40W	文件：225.5 Kbytes Page：5 Pages	NPNgeneralpurposetransistor FEATURES ●Highcollectorcurrent. ●Highcurrentgain. ●Lowcollector-emittersaturationvoltage. ●Complementarytypes:BC807W,BC808W. APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplificationapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC817-40W	文件：68.31 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeNPNTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC817-40W	文件：158.87 Kbytes Page：6 Pages	200mW,PNPSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC817-40W	文件：365.13 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistors Features •Capableof0.2WattsofPowerDissipation. •Collector-current0.5A •ThermalResistanceFromJunctionToAmbient:625OC/W •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55OCto+150OC •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformati	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC817-40W	文件：364.41 Kbytes Page：3 Pages	NPNSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypes:BC807-xxW •ForswitchingandAFAmplifierApplications •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Note1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) •Quali	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

产品属性

产品编号：
BC817-40-QR
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101, BC817-Q
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
700mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
250 @ 100mA，1V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
TO-236AB
描述：
TRANS NPN 45V 0.5A TO236AB

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