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BC817-25W	文件：365.13 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistors Features •Capableof0.2WattsofPowerDissipation. •Collector-current0.5A •ThermalResistanceFromJunctionToAmbient:625OC/W •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55OCto+150OC •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformati	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BC817-25W	文件：316.5 Kbytes Page：13 Pages	45V,500mAPNPgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •Highcurrent •Threecurrentgainselections	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC817-25W	文件：319.45 Kbytes Page：13 Pages	45V,500mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •Highcurrent •Threecurrentgainselections	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC817-25W	文件：158.87 Kbytes Page：6 Pages	200mW,PNPSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
BC817-25W	文件：90.07 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAFTransistor(ForgeneralAFapplicationsHighcollectorcurrentHighcurrentgain) NPNSiliconAFTransistor •ForgeneralAFapplications •Highcollectorcurrent •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytypes:BC807W,BC808W(PNP)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BC817-25W	文件：49.62 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistor DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT323plasticpackage. PNPcomplement:BC807W. FEATURES •Highcurrent(max.500mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC817-25W	文件：263.39 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlasticEncapsulateTransistor FEATURES •ForgeneralAFapplications •Highcollectorcurrent •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
BC817-25W	文件：864.72 Kbytes Page：11 Pages	NPNSiliconAFTransistor ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC807,BC808(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BC817-25W	文件：364.41 Kbytes Page：3 Pages	NPNSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypes:BC807-xxW •ForswitchingandAFAmplifierApplications •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Note1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) •Quali	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BC817-25W	文件：47.5 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC807W,BC808W(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BC817-25W-Q	文件：308.26 Kbytes Page：14 Pages	45V,500mAPNPgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •Highcurrent •Threecurrentgainselections •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC817-25W-Q	文件：310.97 Kbytes Page：14 Pages	45V,500mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •Highcurrent •Threecurrentgainselections •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC817-25WRF	文件：576.91 Kbytes Page：4 Pages	200mW,NPNSmallSignalTransistor Features ◇Epitaxialplanardieconstruction ◇Surfacedevicetypemounting ◇Moisturesensitivitylevel1 ◇MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate ◇PbfreeversionandRoHScompliant ◇Greencompound(Halogenfree)withsuffixGonpackingcodeandprefixGondatecode	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
BC817-25WRFG	文件：576.91 Kbytes Page：4 Pages	200mW,NPNSmallSignalTransistor Features ◇Epitaxialplanardieconstruction ◇Surfacedevicetypemounting ◇Moisturesensitivitylevel1 ◇MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate ◇PbfreeversionandRoHScompliant ◇Greencompound(Halogenfree)withsuffixGonpackingcodeandprefixGondatecode	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
BCH817-25L	文件：209.45 Kbytes Page：11 Pages	GeneralPurposeTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
HABC817-25	文件：417.04 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTOR	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
KC817-25	文件：59.02 Kbytes Page：1 Pages	NPNGeneralPurposeTransistors Features ●ForgeneralAFapplications. ●Highcollectorcurrent. ●Highcurrentgain. ●Lowcollector-emittersaturationvoltage.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
NSVBCH817-25L	文件：209.45 Kbytes Page：11 Pages	GeneralPurposeTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBC817-25L	文件：186.67 Kbytes Page：10 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSiliconCollector??EmitterVoltageVCEO45	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ZUMT817-25	文件：26.88 Kbytes Page：1 Pages	SOT323NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTORS	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES

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产品属性

产品编号：
BC817-25,235
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
700mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
160 @ 100mA，1V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
TO-236AB
描述：
TRANS NPN 45V 0.5A TO236AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	BC817-25,235	Nexperia(安世)	23+	SOT-23(TO-236)	7957	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
艾睿国际（香港）有限公司	BC817-25,235	Nexperia(安世)	2112+	SOT23	115000	10000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,	询价
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更多BC817-25,235供应商更新时间2024-5-14 17:14:00

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