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BC817-16W	文件：158.87 Kbytes Page：6 Pages	200mW,PNPSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC817-16W	文件：576.91 Kbytes Page：4 Pages	200mW,NPNSmallSignalTransistor Features ◇Epitaxialplanardieconstruction ◇Surfacedevicetypemounting ◇Moisturesensitivitylevel1 ◇MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate ◇PbfreeversionandRoHScompliant ◇Greencompound(Halogenfree)withsuffixGonpackingcodeandprefixGondatecode	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC817-16W	文件：225.5 Kbytes Page：5 Pages	NPNgeneralpurposetransistor FEATURES ●Highcollectorcurrent. ●Highcurrentgain. ●Lowcollector-emittersaturationvoltage. ●Complementarytypes:BC807W,BC808W. APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplificationapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC817-16W	文件：365.13 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistors Features •Capableof0.2WattsofPowerDissipation. •Collector-current0.5A •ThermalResistanceFromJunctionToAmbient:625OC/W •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55OCto+150OC •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformati	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC817-16W	文件：364.41 Kbytes Page：3 Pages	NPNSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypes:BC807-xxW •ForswitchingandAFAmplifierApplications •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Note1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) •Quali	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC817-16W	文件：47.5 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC807W,BC808W(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC817-16W	文件：90.07 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAFTransistor(ForgeneralAFapplicationsHighcollectorcurrentHighcurrentgain) NPNSiliconAFTransistor •ForgeneralAFapplications •Highcollectorcurrent •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytypes:BC807W,BC808W(PNP)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC817-16W	文件：49.62 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistor DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT323plasticpackage. PNPcomplement:BC807W. FEATURES •Highcurrent(max.500mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC817-16W	文件：263.39 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlasticEncapsulateTransistor FEATURES •ForgeneralAFapplications •Highcollectorcurrent •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC817-16W	文件：319.45 Kbytes Page：13 Pages	45V,500mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •Highcurrent •Threecurrentgainselections	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

产品属性

产品编号：
BC817-16QBZ
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
BC817QB
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
700mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，1V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装，可润湿侧翼
封装/外壳：
3-XDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
DFN1110D-3
描述：
TRANS NPN 45V 0.5A DFN1110D-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	BC817-16QBZ	Nexperia USA Inc.	25+	3-XDFN 裸露焊盘	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市德力诚信科技有限公司	BC817-16QBZ	NEXPERIA	24+	con	35960	查现货到京北通宇商城	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	BC817-16QCH-QZ		24+	N/A	70000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
亚泰电子科技有限公司	BC817-16-QR	NEXPERIA	22+	SMD	120000		询价
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深圳市威雅利发展有限公司	BC817-16RF	TSC	17+	SOT23	742	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	BC817-16RF	Taiwan Semiconductor	2022+	原厂原包装	6800	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市润联芯城科技有限公司	BC817-16RF	TSC	22+	SOT23	30000	只做原装正品	询价
深圳市中福国际管理有限公司	BC817-16RF	TSC	20+	SOT23	742	进口原装现货,假一赔十	询价

更多BC817-16QBZ供应商更新时间2025-5-23 14:47:00

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