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BC808-25	文件：202.77 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Suitable for AF-Driver stages and low power output stages Complement to BC818 文件：202.77 Kbytes 页数：2 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
BC808-25W	文件：91.15 Kbytes Page：5 Pages	PNP Silicon AF Transistor (For general AF applications High collector current High current gain) PNP Silicon AF Transistor • For general AF applications • High collector current • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BC817W, BC818W (NPN) 文件：91.15 Kbytes 页数：5 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BC808-25W	文件：47.16 Kbytes Page：5 Pages	PNP Silicon AF Transistors PNP Silicon AF Transistors • For general AF applications • High collector current • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BC817W, BC818W (NPN) 文件：47.16 Kbytes 页数：5 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BC808-25W	文件：174.71 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors • Power dissipation 225 mW • Plastic case SOT-323 • Weight approx. 0.01 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped and r 文件：174.71 Kbytes 页数：2 Pages	Diotec 德欧泰克	Diotec
BC80840	文件：72.5 Kbytes Page：6 Pages	Switching and Amplifier Applications Switching and Amplifier Applications • Suitable for AF-Driver stages and low power output stages • Complement to BC817/BC818 文件：72.5 Kbytes 页数：6 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
BC808-40	文件：72.5 Kbytes Page：6 Pages	丝印：9GC；Package：SOT-23；Switching and Amplifier Applications Switching and Amplifier Applications • Suitable for AF-Driver stages and low power output stages • Complement to BC817/BC818 文件：72.5 Kbytes 页数：6 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
BC808-40	文件：47.44 Kbytes Page：5 Pages	PNP Silicon AF Transistors PNP Silicon AF Transistor • For general AF applications • High collector current • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary type: BC817.../W, BC818.../W (NPN) • Pb-free (RoHS compliant) package1) • Qualified according AEC Q101 文件：47.44 Kbytes 页数：5 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BC808-40	文件：175.59 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors • Power dissipation 310 mW • Plastic case SOT-23 • Weight approx. 0.01 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped and reeled 文件：175.59 Kbytes 页数：2 Pages	Diotec 德欧泰克	Diotec
BC808-40	文件：256.55 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon General Purpose Transistors Features • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Capable of 0.3Watts of Power Dissipation. • Collector-current 0.8A • Operating and storage junction temperature range: -65°C to +150°C • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moi 文件：256.55 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
BC808-40	文件：150.85 Kbytes Page：3 Pages	PNP General Purpose Amplifier FEATURES ● High collector current. ● High current gain. ● Low collector-emitter stauration voltage. ● Complementary types:BC818. 文件：150.85 Kbytes 页数：3 Pages	BILIN 银河微电	BILIN

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晶体管资料

型号：
BC808
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）_TR
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BCX17,BCX18,BCW67,BCW68,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
30
htest：
100000000
atest：
0.5
wtest：
0

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.7
IC Cont. (A)：
0.5
VCEO Min (V)：
25
VCBO (V)：
30
VEBO (V)：
5
VBE(on) (V)：
1.2
hFE Min：
160
hFE Max：
400
fT Min (MHz)：
100
PTM Max (W)：
0.225
Package Type：
SOT-23-3

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