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BC808	文件：229.55 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for use in drive and output stages of audio amplifiers. 文件：229.55 Kbytes 页数：1 Pages	DCCOM 道全	DCCOM
BC808	文件：228.56 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal Transistors (PNP) Features • PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors for switching, AF driver and amplifier applications. • Especially suited for automatic insertion in thick and thin-film circuits. • These transistors are subdivided into three groups (-16, -25, and -40) according to their current gain. • As c 文件：228.56 Kbytes 页数：5 Pages	GE	GE
BC808	文件：430.29 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Suitable for AF-Driver stages and low power output stages ● Complement to BC818 文件：430.29 Kbytes 页数：3 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
BC808	文件：588.69 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Suitable for AF-Driver stages and low power output stages ● Complement to BC818 文件：588.69 Kbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
BC808	文件：265.01 Kbytes Page：4 Pages	High current application Descriptions • High current application • Switching application Features • Suitable for AF-Driver stage and low power output stages • Complementary pair with BC818 文件：265.01 Kbytes 页数：4 Pages	KODENSHI 可天士	KODENSHI
BC808	文件：820.22 Kbytes Page：3 Pages	-0.8A , -30V PNP Plastic Encapsulated Transistor FEATURE • Suitable for AF-Driver stages and low power output stages • Complementary to BC818 文件：820.22 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
BC808	文件：184.04 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors for switching, AF driver and amplifier applications These transistors are subdivided into three groups -16, -25 and -40, according to their current gain. As complementary types the NPN transistors BC817 and BC818 are recommended. 文件：184.04 Kbytes 页数：2 Pages	SEMTECH_ELEC 先之科半导体	SEMTECH_ELEC
BC808	文件：1.19967 Mbytes Page：3 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Suitable for AF-Driver stages and low power output stages Complement to BC818 文件：1.19967 Mbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
BC808	文件：202.77 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Suitable for AF-Driver stages and low power output stages Complement to BC818 文件：202.77 Kbytes 页数：2 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
BC808	文件：111.91 Kbytes Page：11 Pages	PNP Silicon AF Transistor 文件：111.91 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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晶体管资料

型号：
BC808
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）_TR
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BCX17,BCX18,BCW67,BCW68,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
30
htest：
100000000
atest：
0.5
wtest：
0

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.7
IC Cont. (A)：
0.5
VCEO Min (V)：
25
VCBO (V)：
30
VEBO (V)：
5
VBE(on) (V)：
1.2
hFE Min：
160
hFE Max：
400
fT Min (MHz)：
100
PTM Max (W)：
0.225
Package Type：
SOT-23-3

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