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BC807W	文件：174.71 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation225mW •PlasticcaseSOT-323 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandr	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC807W	文件：47.16 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconAFTransistors PNPSiliconAFTransistors •ForgeneralAFapplications •Highcollectorcurrent •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytypes:BC817W,BC818W(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC807W	文件：155.82 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●ForgeneralAFapplications. ●Highcollectorcurrent. ●Highcurrentgain. ●Lowcollector-emittersaturationvoltage. ●ComplementstheBC817W. APPLICATIONS ●Forgeneralpurposeamplificationandswitching.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC807W	文件：263.54 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistors PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistors forgeneralpurposeandswitchingapplications Thesetransistorsaresubdividedintothreegroups–16,-25,-40accordingtotheircurrentgain.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BC807W	文件：242.05 Kbytes Page：19 Pages	45V,500mAPNPgeneral-purposetransistors Generaldescription PNPgeneral-purposetransistors. Features ■Highcurrent ■Lowvoltage Applications ■General-purposeswitchingandamplification	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC807W	文件：40.37 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •ComplementarytoBC817W.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BC807W	文件：61.13 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistor DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT323plasticpackage,forgeneralswitchingandamplification. FEATURES •Highcurrent •S-minipackage.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC807W	文件：275 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES •Ldeallysuitedforautomaticinsertion •epitaxialplanardieconstruction •complementaryNPNtypeavailable(BC817)	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
BC807W	文件：553.84 Kbytes Page：4 Pages	200mW,PNPSmallSignalTransistor Features ◇Epitaxialplanardieconstruction ◇Surfacedevicetypemounting ◇Moisturesensitivitylevel1 ◇MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate ◇PbfreeversionandRoHScompliant ◇Greencompound(Halogenfree)withsuffixGonpackingcodeandprefixGondatecode	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC807W	文件：1.65002 Mbytes Page：4 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES •Ldeallysuitedforautomaticinsertion •Epitaxialplanardieconstruction •ComplementarytoBC817W	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳中芯器材有限公司	BC807SG-25	PJSEMI(平晶微)	23+	SOT-23-6	500	三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	BC807SOT-23	长电	2020+	SOT-23	63000	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
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