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BC807-16W	文件：150.18 Kbytes Page：6 Pages	200mW,PNPSmallSignalTransistor Features ◇Epitaxialplanardieconstruction ◇Surfacedevicetypemounting ◇Moisturesensitivitylevel1 ◇MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate ◇PbfreeversionandRoHScompliant ◇Greencompound(Halogenfree)withsuffixGonpackingcodeandprefixGondatecode	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC807-16W	文件：612.96 Kbytes Page：3 Pages	PNPSILICONGENERALPURPOSETRANSISTORS Features ●LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ●EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ●MoisureSensitivityLevel1 ●Capableof0.2WattsofPowerDissipation. ●Collector-current0.5A ●Operatingandstoragejunctiontemper	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
BC807-16W	文件：184.45 Kbytes Page：3 Pages	PNPPlasticEncapsulateTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC807-16W	文件：197.82 Kbytes Page：3 Pages	PNPPlasticEncapsulateTransistor FEATURES •Ideallysuitedforautomaticinsertion •Epitaxialplanardieconstruction •ComplementarytoBC817W	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC807-16W	文件：275 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES •Ldeallysuitedforautomaticinsertion •epitaxialplanardieconstruction •complementaryNPNtypeavailable(BC817)	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
BC807-16W	文件：111.91 Kbytes Page：11 Pages	PNPSiliconAFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC807-16W	文件：191.73 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistor	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC807-16W	文件：1.39299 Mbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistorPNPSilicon	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC807-16W	文件：285.48 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconGeneralPurposeTransistors Features •HalogenFree.“Green”Device(Note1) •MoistureSensitivityLevel1 •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixDesignatesRoHSCompliant.SeeOrderingInformation)	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC807-16W	文件：363.65 Kbytes Page：3 Pages	PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •EpitaxialPlanarDieConstruction •ForSwitching,AFDriverandAmplifierApplications •ComplementaryNPNTypesAvailable(BC817-xxW) •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

技术参数

Package name：
DFN1412D-3
Size (mm)：
1.4 x 1.2 x 0.48
Polarity：
PNP
Ptot (mW)：
455
VCEO [max] (V)：
-45
IC [max] (mA)：
-500
hFE [min]：
100
hFE [max]：
250
Tj [max] (°C)：
175
fT [min] (MHz)：
80
Automotive qualified：
Y

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更多BC807-16QCH-Q供应商更新时间2025-7-29 11:06:00

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