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BC68PA	文件：2.12979 Mbytes Page：23 Pages	Marking：AR；Package：HUSON3；20 V, 2 A NPN medium power transistors Featuresandbenefits Highcurrent Twocurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC68PA	文件：1.11315 Mbytes Page：24 Pages	20 V, 2 A PNP medium power transistors Featuresandbenefits Highcurrent Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC68PA	文件：1.18878 Mbytes Page：23 Pages	20 V, 2 A NPN medium power transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC68PA-Q	文件：247.28 Kbytes Page：13 Pages	Marking：AR；Package：DFN2020-3；20 V, 2 A NPN medium power transistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Twocurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity •LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability •Qualifiedaccor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC68PA-Q_SER	文件：247.28 Kbytes Page：13 Pages	20 V, 2 A NPN medium power transistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Twocurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity •LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability •Qualifiedaccor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC68PAS	文件：3.0544 Mbytes Page：13 Pages	Marking：BY；Package：DFN2020D-3；20 V, 2 A NPN medium power transistors Featuresandbenefits Highcollectorcurrentcapability ICandICM Twocurrentgainselections ReducedPrinted-CircuitBoard(PCB) arearequirements LeadlessverysmallSMDplastic packagewithmediumpowercapability *Exposedheatsinkforexcellentthermal andelectricalconduc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC68PAS_SER	文件：3.0544 Mbytes Page：13 Pages	20 V, 2 A NPN medium power transistors Featuresandbenefits Highcollectorcurrentcapability ICandICM Twocurrentgainselections ReducedPrinted-CircuitBoard(PCB) arearequirements LeadlessverysmallSMDplastic packagewithmediumpowercapability *Exposedheatsinkforexcellentthermal andelectricalconduc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC68PAS	文件：762.73 Kbytes Page：14 Pages	Marking：BY；Package：DFN2020D-3；20 V, 2 A NPN medium power transistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC68PA,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-PowerUDFN；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 20V 2A 3HUSON	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
BC68PA-QX	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-PowerUDFN；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 20V 2A 3HUSON	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.

详细参数

型号：
BC68PA
功能描述：
MOSFET 20 V, 2 A NPN medium power transistors
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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