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BCP68-25	文件：2.12979 Mbytes Page：23 Pages	20V,2ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits Highcurrent Twocurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP68-25-Q	文件：244.09 Kbytes Page：12 Pages	20V,2ANPNmediumpowertransistors 1.Generaldescription NPNmediumpowertransistorsinamediumpowerSOT223(SC-73)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Twocurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •Qualifiedaccordin	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCX68-25	文件：523.789 Kbytes Page：7 Pages	ForgeneralAFapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCX68-25	文件：144.87 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconAFTransistors(ForgeneralAFapplicationsHighcollectorcurrent) NPNSiliconAFTransistors ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytype:BCX69(PNP)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BCX68-25	文件：45.92 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors •ForgeneralAFapplications •Highcollectorcurrent •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytype:BCX69(PNP) •Pb-free(RoHScompliant)package •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCX68-25	文件：16.76 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR FEATURES *Highgainandlowsaturationvoltages COMPLEMENTARYTYPE–BCX69 PARTMARKINGDETAIL– BCX68–CE BCX68-16–CC BCX68-25–CD	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
DCX68-25	文件：194.06 Kbytes Page：4 Pages	NPNSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(DCX69) •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •IdealforMediumPowerSwitchingorAmplificationApplications •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

产品属性

产品编号：
BC68-25PA-QX
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
160 @ 500mA，1V
频率 - 跃迁：
170MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
3-PowerUDFN
供应商器件封装：
3-HUSON（2x2）
描述：
TRANS NPN 20V 2A 3HUSON

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