BC637中文资料PDF规格书
厂商型号 |
BC637 |
参数属性 | BC637 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 长体;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 60V 1A TO92 |
功能描述 | NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor |
文件大小 |
175.17 Kbytes |
页面数量 |
3 页 |
生产厂商 | SEMTECH ELECTRONICS LTD. |
企业简称 |
SEMTECH_ELEC【先之科半导体】 |
中文名称 | 先之科半导体科技(东莞)有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-16 11:36:00 |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
BC637三极管、BC637晶体管、BC637晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_TR_输出极 (E)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
60V
- 最大电流允许值:
1A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BC487,BC537,3DK14C,
- 最大耗散功率:
0.8W
- 放大倍数:
- 图片代号:
A-20
- vtest:
60
- htest:
999900
- atest:
1
- wtest:
.8
BC637规格书详情
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
Medium Power Transistors
for driver stages of audio / video amplifiers
产品属性
- 产品编号:
BC637
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 50mA,500mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 150mA,2V
- 频率 - 跃迁:
200MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-226-3,TO-92-3 长体
- 供应商器件封装:
TO-92(TO-226)
- 描述:
TRANS NPN 60V 1A TO92
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
23+ |
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