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BCX56-16	文件：290 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTNPNSILICONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BCX56-16	文件：146.13 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAFTransistors(ForAFdriverandoutputstagesHighcollectorcurrent) Features ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCX51…BCX53(PNP)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BCX56-16	文件：42.8 Kbytes Page：8 Pages	NPNmediumpowertransistors DESCRIPTION NPNmediumpowertransistorinaSOT89plasticpackage.PNPcomplements:BCX51,BCX52andBCX53. FEATURES •Highcurrent(max.1A) •Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS •Driverstagesofaudioandvideoamplifiers.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BCX56-16	文件：48.8 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCX51...BCX53(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCX56-16	文件：1.74382 Mbytes Page：22 Pages	80V,1ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits Highcurrent Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCX56-16	文件：230.72 Kbytes Page：12 Pages	80V,1ANPNmediumpowertransistors 1.Generaldescription NPNmediumpowertransistorsinaSOT89(SC-62)flatleadSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage 2.Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability 3.Applications •Li	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCX56-16	文件：1.18577 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES ®PNPComplementstoBCX51,BCX52,BCX53 ®LowVoltage ®HighCurrent APPLICATIONS ®DriverStagesofAudioAmplifiers	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BCX56-16	文件：531.72 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES PNPComplementstoBCX51,BCX52,BCX53 LowVoltage HighCurrent APPLICATIONS DriverStagesofAudioAmplifiers	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
BCX56-16-AU	文件：383.65 Kbytes Page：6 Pages	NPNLowVce(sat)Transistor Features SiliconNPNepitaxialtype LowVce(sat)0.35V(max)@Ic/Ib=500mA/50mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics AEC-Q101qualified LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249Standard PNPcomple	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

产品属性

产品编号：
BC56-16PA-QX
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，2V
频率 - 跃迁：
180MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
3-PowerUDFN
供应商器件封装：
3-HUSON（2x2）
描述：
TRANS NPN 80V 1A 3HUSON

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更多BC56-16PA-QX供应商更新时间2025-7-28 11:06:00

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