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BCX56-16	文件：202.28 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistors Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •PowerDissipation:PCM=0.5W(Tamb=25°C) •CollectorCurrent:ICM=1.0A •Collector-BaseVoltage:V(BR)CBO=100V •Marking:BCX56=BH,BCX56-10=BK,BCX56-16=BL •EpoxymeetsU	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BCX56-16	文件：53.61 Kbytes Page：2 Pages	NPN Medium Power Transistors Features ●Highcurrent(max.1A). ●Lowvoltage(max.80V).	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BCX56-16	文件：199.54 Kbytes Page：3 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistor FEATURES •Highcurrent •Lowvoltage •Mediumpowergeneralpurposes •Driverstagesofaudioamplifiers.	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
BCX56-16	文件：6.13709 Mbytes Page：5 Pages	NPN TRANSISTOR VOLTAGE45~80.0VoltsCURRENT1.0Ampers FEATURES ●Highcurrent(max.1A). ●Lowvoltage(max.80V).	NIUHANG Dongguan City Niuhang Electronics Co.LTD	NIUHANG
BCX56-16	文件：191.98 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon AF Transistors FEATURES ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCX51…BCX53(PNP)	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BCX56-16	文件：474.43 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon AF Transistors FEATURES ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCX51…BCX53(PNP)	BWTECHBruckewell Technology LTD 布吕克韦尔技术布吕克韦尔技术有限公司	BWTECH
BCX56-16	文件：217.86 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistors Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •PowerDissipation:PCM=0.5W(Tamb=25°C) •CollectorCurrent:ICM=1.0A •Collector-BaseVoltage:V(BR)CBO=100V •Marking:BCX56=BH,BCX56-10=BK,BCX56-16=BL •EpoxymeetsU	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BCX56-16	文件：42.8 Kbytes Page：8 Pages	NPN medium power transistors DESCRIPTION NPNmediumpowertransistorinaSOT89plasticpackage.PNPcomplements:BCX51,BCX52andBCX53. FEATURES •Highcurrent(max.1A) •Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS •Driverstagesofaudioandvideoamplifiers.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BCX56-16	文件：146.13 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon AF Transistors (For AF driver and output stages High collector current) Features ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCX51…BCX53(PNP)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BCX56-16	文件：48.8 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon AF Transistors NPNSiliconAFTransistors ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCX51...BCX53(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCX56-16	文件：720.99 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCX51…BCX53(PNP)	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
BCX56-16	文件：161.15 Kbytes Page：15 Pages	80 V, 1 A NPN medium power transistors Generaldescription NPNmediumpowertransistorseries. Features ■Highcurrent ■Twocurrentgainselections ■Highpowerdissipationcapability Applications ■Linearvoltageregulators ■Low-sideswitches ■MOSFETdrivers ■Amplifiers	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BCX56-16	文件：1.74382 Mbytes Page：22 Pages	80 V, 1 A NPN medium power transistors Featuresandbenefits Highcurrent Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCX56-16	文件：230.72 Kbytes Page：12 Pages	80 V, 1 A NPN medium power transistors 1.Generaldescription NPNmediumpowertransistorsinaSOT89(SC-62)flatleadSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage 2.Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability 3.Applications •Li	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCX56-16	文件：1.18577 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ®PNPComplementstoBCX51,BCX52,BCX53 ®LowVoltage ®HighCurrent APPLICATIONS ®DriverStagesofAudioAmplifiers	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BCX56-16	文件：531.72 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES PNPComplementstoBCX51,BCX52,BCX53 LowVoltage HighCurrent APPLICATIONS DriverStagesofAudioAmplifiers	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd . 唯聖電子唯聖電子有限公司	GWSEMI
BCX56-16	文件：1.88778 Mbytes Page：5 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistors	JINGHENG Jinan Jing Heng Electronics Co., Ltd.	JINGHENG
BCX56-16	文件：526.17 Kbytes Page：8 Pages	For AF driver and output stages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCX56-16	文件：290 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BCX56-16	文件：260.63 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC

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详细参数

型号：
BCX56-16
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
Trans GP BJT NPN 80V 1A 4-Pin(3+Tab) UPAK Bulk
功能描述：
TRANSISTOR NPN SOT-89
制造商：
SPC Multicomp
功能描述：
TRANSISTOR NPN 1A 80V SOT89
功能描述：
TRANSISTOR, NPN, SOT-89
功能描述：
TRANSISTOR, NPN, 1A, 80V, SOT89
功能描述：
TRANSISTOR, NPN, SOT-89; Transistor
Polarity：
NPN; Collector Emitter Voltage
V(br)ceo：
80V; Transition Frequency Typ
ft：
180MHz; Power Dissipation
Pd：
500mW; DC Collector
Current：
1A; DC Current Gain
hFE：
100; Operating Temperature ;RoHS
Compliant：
Yes
功能描述：
TRANSISTOR, NPN, 1A, 80V, SOT89; Transistor
V(br)ceo：
80V; Power Dissipation
hFE：
250 ;RoHS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市炬谷缔增科技有限公司	BCX56-16	长电	+19	SOT-89-3L	90000	原装正品	询价
深圳市坤融电子科技有限公司	BCX56-16	NXP/恩智浦	2024+原装现货	SOT89	8950	BOM配单专家,发货快,价格低	询价
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