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BCX56-16	文件：474.43 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAFTransistors FEATURES ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCX51…BCX53(PNP)	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
BCX56-16	文件：191.98 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAFTransistors FEATURES ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCX51…BCX53(PNP)	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BCX56-16	文件：6.13709 Mbytes Page：5 Pages	NPNTRANSISTOR VOLTAGE45~80.0VoltsCURRENT1.0Ampers FEATURES ●Highcurrent(max.1A). ●Lowvoltage(max.80V).	NIUHANGDongguan City Niuhang Electronics Co.LTD 纽航电子广东纽航电子科技有限公司	NIUHANG
BCX56-16	文件：202.28 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •PowerDissipation:PCM=0.5W(Tamb=25°C) •CollectorCurrent:ICM=1.0A •Collector-BaseVoltage:V(BR)CBO=100V •Marking:BCX56=BH,BCX56-10=BK,BCX56-16=BL •EpoxymeetsU	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BCX56-16	文件：290 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTNPNSILICONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BCX56-16	文件：146.13 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAFTransistors(ForAFdriverandoutputstagesHighcollectorcurrent) Features ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCX51…BCX53(PNP)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BCX56-16	文件：42.8 Kbytes Page：8 Pages	NPNmediumpowertransistors DESCRIPTION NPNmediumpowertransistorinaSOT89plasticpackage.PNPcomplements:BCX51,BCX52andBCX53. FEATURES •Highcurrent(max.1A) •Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS •Driverstagesofaudioandvideoamplifiers.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	ETC
BCX56-16	文件：48.8 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCX51...BCX53(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCX56-16	文件：1.74382 Mbytes Page：22 Pages	80V,1ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits Highcurrent Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCX56-16	文件：230.72 Kbytes Page：12 Pages	80V,1ANPNmediumpowertransistors 1.Generaldescription NPNmediumpowertransistorsinaSOT89(SC-62)flatleadSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage 2.Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability 3.Applications •Li	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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技术参数

Package name：
DFN2020-3
Size (mm)：
2 x 2 x 0.65
Polarity：
NPN
Ptot (mW)：
420
VCEO [max] (V)：
80
IC [max] (mA)：
1000
hFE [min]：
63
hFE [max]：
250
Tj [max] (°C)：
150
fT [min] (MHz)：
100
Automotive qualified：
Y

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