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BC557B	文件：313.16 Kbytes Page：3 Pages	ElektronischeBauelemente FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.1A Collector-basevoltage VCBO:BC556-80V BC557-50V BC558-30V Operatingandstoragejunctiontemp	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC557B	文件：144.86 Kbytes Page：2 Pages	Si-EpitaxialPlanarTransistors GeneralPurposePNPTransistors •Powerdissipation500mW •PlasticcaseTO-92 •Weightapprox.0.18g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedinammopack	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC557B	文件：294.96 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconAmplifierTransistor625mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC557B	文件：385.57 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconAmplifierTransistor625mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC557B	文件：148.14 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposePNPTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC557B	文件：68.56 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.625W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.1A Collector-basevoltageVCBO:BC556-80VBC557-50VBC558-30V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
BC557B	文件：358.64 Kbytes Page：5 Pages	PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS AmplifierTransistors	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BC557B	文件：53.1 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedMultipleTransistors??QuadSurfaceMount(Case751B-SO-16)??NPN/PNP)	ALLIED Allied Components International	ALLIED
BC557BG	文件：77.87 Kbytes Page：7 Pages	AmplifierTransistorsPNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC557BG	文件：87.24 Kbytes Page：7 Pages	AmplifierTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
BC557ATA_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP -45V -100mA HFE/22
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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