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BC558A	文件：358.64 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS Amplifier Transistors 文件：358.64 Kbytes 页数：5 Pages	CDIL	CDIL
BC558A	文件：144.86 Kbytes Page：2 Pages	Si-Epitaxial PlanarTransistors General Purpose PNP Transistors • Power dissipation 500 mW • Plastic case TO-92 • Weight approx. 0.18 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped in ammo pack 文件：144.86 Kbytes 页数：2 Pages	Diotec 德欧泰克	Diotec
BC558A	文件：2.17097 Mbytes Page：5 Pages	PNP General Purpose Transistor PNP General Purpose Transistor 文件：2.17097 Mbytes 页数：5 Pages	WEITRON	WEITRON
BC558A	文件：313.16 Kbytes Page：3 Pages	Elektronische Bauelemente FEATURES Power dissipation PCM: 0.625 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -0.1 A Collector-base voltage VCBO: BC556 -80 V BC557 -50 V BC558 -30 V Operating and storage junction temp 文件：313.16 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
BC558A	文件：213.33 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON TRANSISTORS PNP Silicon Transistors 文件：213.33 Kbytes 页数：6 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BC558A	文件：148.14 Kbytes Page：2 Pages	General Purpose PNP Transistors 文件：148.14 Kbytes 页数：2 Pages	Diotec 德欧泰克	Diotec
BC558A	文件：385.57 Kbytes Page：5 Pages	PNP Silicon Amplifier Transistor 625mW 文件：385.57 Kbytes 页数：5 Pages	MCC	MCC
BC558A	文件：92 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Planar Epitaxial Transistors 文件：92 Kbytes 页数：3 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
BC558A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Transistors	Diotec 德欧泰克	Diotec
BC558A	文件：300 bytes Page：1 Pages	中等功率双极型晶体管	MCC 美微科	MCC

技术参数

Product Polarity：
PNP
SMD/ThroHole：
Through Hole
VCEO (V)：
-30
VCBO (V)：
-30
VEBO (V)：
-5.0
IC (A)：
-0.1
PC (W)：
0.625
HFE：
120-220
@IC (mA)：
-2.0
@VCE (V)：
-5.0
ICBO：
-0.1 µA
IEBO：
-0.1 µA
VCE(sat) (V)：
-0.3
VBE(sat) (V)：
-0.8
FT (MHz)：
150
Package Qty：
Bulk
FIT：
48; Tj=100℃

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更多BC558A供应商更新时间2025-10-4 8:01:00

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