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BC556	文件：336.46 Kbytes Page：10 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor Features • Switching and Amplifier • High-Voltage: BC556, VCEO = -65 V • Low-Noise: BC559, BC560 • Complement to BC546, BC547, BC548, BC549, and BC550 文件：336.46 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC556	文件：47.79 Kbytes Page：8 Pages	PNP general purpose transistors DESCRIPTION PNP transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. NPN complements: BC546, BC547 and BC548. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 65 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 文件：47.79 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BC556	文件：58.97 Kbytes Page：3 Pages	PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS APPLICATION PNP General Purpose Transistors, Especially Suited For Use in Driver Stages of Audio Amplifier, Low Noise Input Stages of Tape Recorders, HI-FI Amplifiers, Signal Processing Circuits of Television Receivers. 文件：58.97 Kbytes 页数：3 Pages	BOCA 博卡	BOCA
BC556	文件：108 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS FEATURES * High Voltage: BC556, VCEO=-65V 文件：108 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
BC556	文件：215.17 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for use in driver stage of audio amplifiers. 文件：215.17 Kbytes 页数：1 Pages	DCCOM 道全	DCCOM
BC556	文件：253.27 Kbytes Page：6 Pages	Small Signal Transistors (PNP) REATURES ♦ PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors for switching and AF amplifier applications. ♦ These transistors are subdivided into three groups A, B and C according to their current gain. The type BC556 is avail able in groups A and B, however, the types BC557 and BC558 文件：253.27 Kbytes 页数：6 Pages	GE	GE
BC556	文件：643.98 Kbytes Page：4 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● High Voltage ● Complement to BC546,BC547,BC548 文件：643.98 Kbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
BC556	文件：286.49 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON AF SMALL SIGNAL TRANSISTOR PNP SILICON AF SMALL SIGNAL TRANSISTORS 文件：286.49 Kbytes 页数：4 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
BC556	文件：313.16 Kbytes Page：3 Pages	Elektronische Bauelemente FEATURES Power dissipation PCM: 0.625 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -0.1 A Collector-base voltage VCBO: BC556 -80 V BC557 -50 V BC558 -30 V Operating and storage junction temp 文件：313.16 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
BC556	文件：139.18 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications These transistors are subdivided into three groups A, B and C according to their current gain. 文件：139.18 Kbytes 页数：2 Pages	SEMTECH_ELEC 先之科半导体	SEMTECH_ELEC

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晶体管资料

型号：
BC550(B,C)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）_低噪放大（ra）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
300MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC184,BC384,BC414,3DG120D,
最大耗散功率：
0.5W
放大倍数：
β=900
图片代号：
A-23
vtest：
50
htest：
300000000
atest：
0.2
wtest：
0.5

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.6
IC Cont. (A)：
0.1
VCEO Min (V)：
45
VCBO (V)：
50
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
0.9
VBE(on) (V)：
0.66
hFE Min：
420
hFE Max：
800
fT Min (MHz)：
300
PTM Max (W)：
0.5
Package Type：
TO-92-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市毅创腾电子科技有限公司	BC556B	FAIRCH	23+	TO-92	5500	现货,全新原装	询价
深圳市粤科源兴科技有限公司	BC559B	PHILIP	13+	TO-92	88338	原装分销	询价
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深圳市恒创达实业有限公司	BC559B	FAI	17+	TO92	6200	100%原装正品现货	询价
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深圳市联世界科技有限公司	BC557C	PHIL	24+/25+		2300	原装正品现货库存价优	询价
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