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BC55	文件：43.8 Kbytes Page：1 Pages	01845 NORTH ANDOVER, MA 45 BEECHWOOD DRIVE ADAPTERBNCF/TINNEDLEADS(2)	L-COMInfinite Electronics International, Inc. 英飞畅苏州英飞畅贸易有限公司	L-COM
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BC550	文件：44.47 Kbytes Page：8 Pages	NPN general purpose transistors DESCRIPTION NPNtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. PNPcomplements:BC559andBC560. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Lownoisestagesinaudiofrequencyequipment.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC550	文件：210.85 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon Transistors NPNSiliconTransistors	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC550	文件：44.87 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Features •SwitchingandAmplifier •High-Voltage:BC546,VCEO=65V •Low-Noise:BC549,BC550 •ComplementtoBC556,BC557,BC558,BC559,andBC560	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC550	文件：121.89 Kbytes Page：1 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (LOW NOISE AMPLIFIER) LOWNOISEAMPLIFIERAPPLICATION. FEATURE •ForComplementarywithPNPTypeBC559/560.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BC550	文件：315.76 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
BC550	文件：139.19 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplication ThesetransistorsaresubdividedintothreegroupsA,BandCaccordingtotheircurrentgain.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BC550	文件：50.35 Kbytes Page：4 Pages	Switching and Applications Features •SwitchingandAmplifier •High-Voltage:BC546,VCEO=65V •Low-Noise:BC549,BC550 •ComplementtoBC556,BC557,BC558,BC559,andBC560	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC550	文件：55.69 Kbytes Page：4 Pages	Switching and Applications Features •SwitchingandAmplifier •High-Voltage:BC546,VCEO=65V •Low-Noise:BC549,BC550 •ComplementtoBC556,BC557,BC558,BC559,andBC560	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
BC55
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN 45V 100mA HFE/8
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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