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BC549BTF	文件：151.77 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingandAmplifier Features •SwitchingandAmplifier •High-Voltage:BC546,VCEO=65V •Low-Noise:BC549,BC550 •ComplementtoBC556,BC557,BC558,BC559,andBC560	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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BC549C	文件：110.11 Kbytes Page：4 Pages	LowNoiseTransistors LowNoiseTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BC549C	文件：44.47 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. PNPcomplements:BC559andBC560. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Lownoisestagesinaudiofrequencyequipment.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC549C	文件：148.76 Kbytes Page：2 Pages	Si-EpitaxialPlanarTransistors Features GeneralPurposeThreecurrentgaingroupsComplianttoRoHS,REACH,ConflictMinerals1) TypicalApplications Signalprocessing,Switching,AmplificationCommercialgrade1) MechanicalData1) (1)Tapedinammopack4000(Raster2.54) (2)Onrequest:inbulk5000(Ra	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC549C	文件：248.27 Kbytes Page：7 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. PNPcomplements:BC559andBC560. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Lownoisestagesinaudiofrequencyequipment.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC549C	文件：65.04 Kbytes Page：4 Pages	LowNoiseTransistorsNPNSilicon LowNoiseTransistors NPNSilicon Features •ThesearePb−FreeDevices*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC549C	文件：57.02 Kbytes Page：4 Pages	LowNoiseTransistorsNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC549C	文件：210.85 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconTransistors NPNSiliconTransistors	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC549C	文件：360.77 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS LowNoiseTransistors TO-92PlasticPackage ForLeadFreeParts,DevicePart#willbePrefixedwithT	CDIL Continental Device India Limited	CDIL

详细参数

型号：
BC549BTAR_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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