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BC548C-AP	文件：228.16 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAmplifierTransistor625mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC548C-BP	文件：228.16 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAmplifierTransistor625mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC548CBU	文件：141.3 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor NPNEpitaxialSiliconTransistor SwitchingandApplications •HighVoltage:BC546,VCEO=65V •LowNoise:BC549,BC550 •ComplementtoBC556...BC560	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC548CG	文件：78.39 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC548CG	文件：68.89 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistorsNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC548CG	文件：223.47 Kbytes Page：9 Pages	AmplifierTransistorsNPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC548CTA	文件：141.3 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor NPNEpitaxialSiliconTransistor SwitchingandApplications •HighVoltage:BC546,VCEO=65V •LowNoise:BC549,BC550 •ComplementtoBC556...BC560	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC548CTA	文件：151.77 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingandAmplifier Features •SwitchingandAmplifier •High-Voltage:BC546,VCEO=65V •Low-Noise:BC549,BC550 •ComplementtoBC556,BC557,BC558,BC559,andBC560	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BLF548	文件：123.09 Kbytes Page：12 Pages	UHFpush-pullpowerMOStransistor DESCRIPTION Dualpush-pullsiliconN-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistordesignedforcommunicationstransmitterapplicationsintheUHFfrequencyrange. Thetransistorisencapsulatedina4-lead,SOT262A2balancedflangepackage,withtwoceramiccaps.Themountingflangeprovid	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BLF548	文件：116.6 Kbytes Page：15 Pages	UHFpush-pullpowerMOStransistor	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
BC548C_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN 30V 100mA HFE/8
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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