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BC548C	文件：1.24071 Mbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Amplifier Transistor 625mW Features • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Through Hole Package • 150°C Junction Temperature • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Halogen free available upon request by adding suffix 文件：1.24071 Mbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
BC548C	文件：301.48 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon Amplifier Transistor 625mW Features • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Through Hole Package • 150°C Junction Temperature • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Halogen free available upon request by adding suffix 文件：301.48 Kbytes 页数：5 Pages	MCC	MCC
BC548C	文件：193.13 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors 文件：193.13 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
BC548C	文件：1.9671 Mbytes Page：5 Pages	NPN General Purpose Transistor NPN General Purpose Transistors P/b Lead(Pb)-Free 文件：1.9671 Mbytes 页数：5 Pages	WEITRON	WEITRON
BC548C	文件：540.84 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR Features • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Through Hole Package • 150°C Junction Temperature • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Halogen free available upon request by adding suffix -HF 文件：540.84 Kbytes 页数：4 Pages	SUNMATE 森美特	SUNMATE
BC548C	文件：160.26 Kbytes Page：5 Pages	NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTOR VOLTAGE 30V/45V/65V POWER 625 mWatts FEATURES • NPN epitaxial silicon, planar design • Collector current IC = 100mA • Complimentary (PNP) device:BC556,BC557,BC558 Series • Pb free product :99 Sn above can meet RoHS environment substance directive request 文件：160.26 Kbytes 页数：5 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
BC548C	文件：183.96 Kbytes Page：3 Pages	Elektronische Bauelemente FEATURES Power dissipation PCM: 0.625 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 0.1 A Collector-base voltage VCBO: BC546 80 V BC547 50 V BC548 30 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：183.96 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
BC548C..	文件：301.96 Kbytes Page：8 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • Switching and Amplifier • High-Voltage: BC546, VCEO = 65 V • Low-Noise: BC549, BC550 • Complement to BC556, BC557, BC558, BC559, and BC560 文件：301.96 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC548CBU	文件：141.3 Kbytes Page：6 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor NPN Epitaxial Silicon Transistor Switching and Applications • High Voltage: BC546, VCEO=65V • Low Noise: BC549, BC550 • Complement to BC556 ... BC560 文件：141.3 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BC548CG	文件：223.47 Kbytes Page：9 Pages	Amplifier Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：223.47 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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晶体管资料

型号：
BC548(VI,A,B,C)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
300MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC108,BC172,BC183,BC208,BC238,BC383,BC583,3DG9014,
最大耗散功率：
0.5W
放大倍数：
β=900
图片代号：
A-23
vtest：
30
htest：
300000000
atest：
0.2
wtest：
0.5

产品属性

产品编号：
BC548
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
110 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3

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