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NPNSiliconAmplifierTransistor625mW | MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司 | MCC | ||
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NPNEpitaxialSiliconTransistor NPNEpitaxialSiliconTransistor SwitchingandApplications •HighVoltage:BC546,VCEO=65V •LowNoise:BC549,BC550 •ComplementtoBC556...BC560 | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | Fairchild | ||
SwitchingandApplications Features •SwitchingandAmplifier •High-Voltage:BC546,VCEO=65V •Low-Noise:BC549,BC550 •ComplementtoBC556,BC557,BC558,BC559,andBC560 | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | Fairchild | ||
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详细参数
- 型号:
BC546B_Q
- 功能描述:
两极晶体管 - BJT NPN 65V 100mA HFE/45
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
PNP 集电极—基极电压
- VCBO:
集电极—发射极最大电压
- VCEO:
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO:
- 6 V
- 增益带宽产品fT:
直流集电极/Base Gain hfe
- Min:
100 A
- 安装风格:
SMD/SMT
- 封装/箱体:
PowerFLAT 2 x 2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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