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BC546B-AP	文件：228.16 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAmplifierTransistor625mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
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BC546BG	文件：68.89 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistorsNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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BC546BTA	文件：141.3 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor NPNEpitaxialSiliconTransistor SwitchingandApplications •HighVoltage:BC546,VCEO=65V •LowNoise:BC549,BC550 •ComplementtoBC556...BC560	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC546BTA	文件：50.35 Kbytes Page：4 Pages	SwitchingandApplications Features •SwitchingandAmplifier •High-Voltage:BC546,VCEO=65V •Low-Noise:BC549,BC550 •ComplementtoBC556,BC557,BC558,BC559,andBC560	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC546BTA	文件：151.77 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingandAmplifier Features •SwitchingandAmplifier •High-Voltage:BC546,VCEO=65V •Low-Noise:BC549,BC550 •ComplementtoBC556,BC557,BC558,BC559,andBC560	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC546BTF	文件：151.77 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingandAmplifier Features •SwitchingandAmplifier •High-Voltage:BC546,VCEO=65V •Low-Noise:BC549,BC550 •ComplementtoBC556,BC557,BC558,BC559,andBC560	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC546BTF	文件：55.69 Kbytes Page：4 Pages	SwitchingandApplications Features •SwitchingandAmplifier •High-Voltage:BC546,VCEO=65V •Low-Noise:BC549,BC550 •ComplementtoBC556,BC557,BC558,BC559,andBC560	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC546BTF	文件：141.3 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor NPNEpitaxialSiliconTransistor SwitchingandApplications •HighVoltage:BC546,VCEO=65V •LowNoise:BC549,BC550 •ComplementtoBC556...BC560	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC546C	文件：1.9671 Mbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeTransistor NPNGeneralPurposeTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC546C	文件：183.96 Kbytes Page：3 Pages	ElektronischeBauelemente FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.1A Collector-basevoltage VCBO:BC54680V BC54750V BC54830V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC546C	文件：301.48 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAmplifierTransistor625mW Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •ThroughHolePackage •150°CJunctionTemperature •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC546C	文件：151.77 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingandAmplifier Features •SwitchingandAmplifier •High-Voltage:BC546,VCEO=65V •Low-Noise:BC549,BC550 •ComplementtoBC556,BC557,BC558,BC559,andBC560	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC546C	文件：540.84 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONAMPLIFIERTRANSISTOR Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •ThroughHolePackage •150°CJunctionTemperature •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
BC546C	文件：253.91 Kbytes Page：5 Pages	NPNTransistor SmallSignalProduct Features ◇ForswitchingandAFamplifierapplications ◇ThesetypesaresubdividedintothreegroupsA,BandC accordingtotheircurrentgain ◇Moisturesensitivitylevel1 ◇Drivertransistor ◇PbfreeversionandRoHScompliant ◇Greencompound(Halogenfree)w	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC546C	文件：148.07 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeNPNTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC546C	文件：124.68 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS AmplifierTransistors	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BC546CTA	文件：151.77 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingandAmplifier Features •SwitchingandAmplifier •High-Voltage:BC546,VCEO=65V •Low-Noise:BC549,BC550 •ComplementtoBC556,BC557,BC558,BC559,andBC560	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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详细参数

型号：
BC546B AMO
功能描述：
两极晶体管 - BJT TRANS GP AMMO WIDE PITCH
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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