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BC546	文件：60.93 Kbytes Page：9 Pages	NPN general purpose transistors 文件：60.93 Kbytes 页数：9 Pages	PHI PHI	PHI
BC546	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Transistor	UTC 友顺	UTC
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BC546	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Silicon Transistors	Infineon 英飞凌	Infineon
BC546	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 65V 0.1A TO92-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC546/547	文件：50.35 Kbytes Page：4 Pages	Switching and Applications Features • Switching and Amplifier • High-Voltage: BC546, VCEO = 65 V • Low-Noise: BC549, BC550 • Complement to BC556, BC557, BC558, BC559, and BC560 文件：50.35 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BC546_V01	文件：301.96 Kbytes Page：8 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • Switching and Amplifier • High-Voltage: BC546, VCEO = 65 V • Low-Noise: BC549, BC550 • Complement to BC556, BC557, BC558, BC559, and BC560 文件：301.96 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC546A	文件：47.96 Kbytes Page：8 Pages	丝印：C546A；Package：SOT-54；NPN general purpose transistors FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 65 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. DESCRIPTION NPN transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. PNP complements: BC556 and BC557. 文件：47.96 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BC546A	文件：124.68 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS Amplifier Transistors 文件：124.68 Kbytes 页数：5 Pages	CDIL	CDIL
BC546A	文件：151.77 Kbytes Page：6 Pages	Switching and Amplifier Features • Switching and Amplifier • High-Voltage: BC546, VCEO = 65 V • Low-Noise: BC549, BC550 • Complement to BC556, BC557, BC558, BC559, and BC560 文件：151.77 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

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晶体管资料

型号：
BC546(VI,A,B)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
300MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC174,BC190,BC447,3DG9011,
最大耗散功率：
0.5W
放大倍数：
β=500
图片代号：
A-23
vtest：
80
htest：
300000000
atest：
0.2
wtest：
0.5

产品属性

产品编号：
BC546
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
110 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS NPN 65V 0.1A TO92-3

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深圳市高捷芯城科技有限公司	BC546	ONSEMI	25+	TO-92	18798	正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐	询价
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