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BC546	文件：193.13 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
BC546	文件：140.48 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors(NPN Silicon) AmplifierTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BC546	文件：47.96 Kbytes Page：8 Pages	NPN general purpose transistors FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification. DESCRIPTION NPNtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage.PNPcomplements:BC556andBC557.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BC546	文件：210.85 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon Transistors NPNSiliconTransistors	SIEMENS Siemens Ltd
BC546	文件：44.87 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Features •SwitchingandAmplifier •High-Voltage:BC546,VCEO=65V •Low-Noise:BC549,BC550 •ComplementtoBC556,BC557,BC558,BC559,andBC560	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
BC546	文件：284.45 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION.SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •HighVoltage:BC546VCEO=65V. •ForComplementaryWithPNPTypeBC556/557/558.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社
BC546	文件：1.24071 Mbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Amplifier Transistor 625mW Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •ThroughHolePackage •150°CJunctionTemperature •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
BC546	文件：148.76 Kbytes Page：2 Pages	Si-Epitaxial PlanarTransistors Features GeneralPurposeThreecurrentgaingroupsComplianttoRoHS,REACH,ConflictMinerals1) TypicalApplications Signalprocessing,Switching,AmplificationCommercialgrade1) MechanicalData1) (1)Tapedinammopack4000(Raster2.54) (2)Onrequest:inbulk5000(Ra	DiotecDIOTEC 德欧泰克
BC546	文件：1.9671 Mbytes Page：5 Pages	NPN General Purpose Transistor NPNGeneralPurposeTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技
BC546	文件：108.96 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS SWITCHINGANDAMPLIFIERAPPLICATIONS FEATURES *HighVoltage:BC546,VCEO=65V	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
BC546	文件：218.78 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designedforuseindriverstageofaudioamplifiers.	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司
BC546	文件：160.26 Kbytes Page：5 Pages	NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTOR VOLTAGE30V/45V/65VPOWER625mWatts FEATURES •NPNepitaxialsilicon,planardesign •CollectorcurrentIC=100mA •Complimentary(PNP)device:BC556,BC557,BC558Series •Pbfreeproduct:99SnabovecanmeetRoHSenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司
BC546	文件：183.96 Kbytes Page：3 Pages	Elektronische Bauelemente FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.1A Collector-basevoltage VCBO:BC54680V BC54750V BC54830V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
BC546	文件：404.87 Kbytes Page：14 Pages	65 V, 100 mA NPN general-purpose transistors Generaldescription NPNgeneral-purposetransistorsinSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. Featuresandbenefits ■General-purposetransistors ■SMDplasticpackages ■Twodifferentgainselections Applications ■General-purposeswitchingandamplification	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
BC546	文件：304.12 Kbytes Page：1 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors (NPN) FEATURES HighVoltage ComplementtoBC556,BC557,BC558	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd
BC546	文件：371.62 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor	SEMTECH Semtech Corporation
BC546	文件：263.47 Kbytes Page：6 Pages	Small Signal Transistors (NPN) FEATURES ♦NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistors ♦ThesetransistorsaresubdividedintothreegroupsA,BandCaccordingtotheircurrentgain.ThetypeBC546isavailableingroupsAandB,however,thetypesBC547andBC548canbesuppliedinallthreegroups.TheBC549isalow-noisetyp	GE GE Industrial Company
BC546	文件：315.76 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics
BC546	文件：139.19 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplication ThesetransistorsaresubdividedintothreegroupsA,BandCaccordingtotheircurrentgain.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司
BC546	文件：50.35 Kbytes Page：4 Pages	Switching and Applications Features •SwitchingandAmplifier •High-Voltage:BC546,VCEO=65V •Low-Noise:BC549,BC550 •ComplementtoBC556,BC557,BC558,BC559,andBC560	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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晶体管资料

型号：
BC546(VI,A,B)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
300MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC174,BC190,BC447,3DG9011,
最大耗散功率：
0.5W
放大倍数：
β=500
图片代号：
A-23
vtest：
80
htest：
300000000
atest：
.2
wtest：
.5

产品属性

产品编号：
BC546
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
110 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS NPN 65V 0.1A TO92-3

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