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BCP53-16	文件：1.31226 Mbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor Features HighCollectorCurrent LowCollector-emitterSaturationVoltage	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
BCP53-16-AU	文件：396 Kbytes Page：6 Pages	PNPLowVce(sat)Transistor Features SiliconPNPepitaxialtype LowVce(sat)-0.4V(max)@Ic/Ib=-500mA/-50mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics AEC-Q101qualified LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249Standard NPNcom	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BCP53-16H	文件：1.27242 Mbytes Page：16 Pages	80V,1APNPmediumpowertransistors Generaldescription PNPmediumpowertransistorsinamediumpowerSOT223(SC-73)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Featuresandbenefits ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Threecurrentgainselections ■Highpowerdissipationcapability ■High-temperatureapplicat	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP53-16H	文件：1.25919 Mbytes Page：16 Pages	80V,1ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability High-temperatureapplicationsupto175C AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP53-16H	文件：1.27175 Mbytes Page：16 Pages	80V,1APNPmediumpowertransistors Featuresandbenefits HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability High-temperatureapplicationsupto175C AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP53-16H-Q	文件：275.29 Kbytes Page：14 Pages	80V,1APNPmediumpowertransistors 1.Generaldescription PNPmediumpowertransistorsinaSOT223(SC-73)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. 2.Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •High-temperatureapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP53-16T	文件：274.63 Kbytes Page：14 Pages	80V,1APNPmediumpowertransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP53-16T	文件：287.1 Kbytes Page：15 Pages	80V,1ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP53-16T	文件：274 Kbytes Page：14 Pages	80V,1APNPmediumpowertransistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP53-16T-Q	文件：287.63 Kbytes Page：15 Pages	80V,1ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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