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BC51-16PAS-Q	文件：263.77 Kbytes Page：11 Pages	Marking：C6；Package：DFN2020D-3；45 V, 1 A PNP medium power transistors 1.Generaldescription PNPmediumpowertransistorseriesencapsulatedinanultrathinDFN2020D-3(SOT1061D) leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithmediumpowercapabilityand visibleandsolderablesidepads. 2.Featuresandbenefits •Highcollectorcurrentcapa	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP51-16	文件：1.06086 Mbytes Page：22 Pages	45V,1APNPmediumpowertransistors Featuresandbenefits Highcurrent Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP51-16	文件：44.95 Kbytes Page：8 Pages	PNPmediumpowertransistors DESCRIPTION PNPmediumpowertransistorinaSOT223plasticpackage.NPNcomplements:BCP54,BCP55andBCP56. FEATURES •Highcurrent(max.1A) •Lowvoltage(max.80V) •Mediumpower(max.1.3W). APPLICATIONS •Audio,telephonyandautomotiveapplications •Thickandthin-filmcircuits	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BCP51-16	文件：498.68 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconAFTransistors	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCP51-16	文件：1.30862 Mbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor Features ®HighCollectorCurrent ®LowCollector-emitterSaturationVoltage	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
BCP51-16	文件：140.02 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconAFTransistors(ForAFdriverandoutputstagesHighcollectorcurrent) PNPSiliconAFTransistors ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCP54…BCP56(NPN)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BCP51-16	文件：48.02 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconAFTransistors PNPSiliconAFTransistors ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCP54...BCP56(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCP51-16	文件：189.74 Kbytes Page：2 Pages	-1A,-45VPNPPlasticEncapsulateTransistor FEATURES ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BCP51-16	文件：817.94 Kbytes Page：7 Pages	PNPSiliconAFTransistors	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCP51-16	文件：455.41 Kbytes Page：5 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors Features •ForAFdriverandoutputstages •Highcollectorcurrent •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytypes:BCP54...BCP56(NPN) •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

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