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BC3406	文件：260.62 Kbytes Page：4 Pages	Marking：R6；Package：SOT-23；Plastic-Encapsulate MOSFETS DESCRIPTION TheBC3406useadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellent RDS(ON)andlowgatecharge.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications.	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
BL3406B	文件：462.99 Kbytes Page：11 Pages	1.5MHz,800mASynchronousBuckConverter DESCRIPTION TheBL3406Bisaconstantfrequency,1.5MHz,slopecompensatedcurrentmodePWMstep-downconverterworkingunderaninputvoltagerangeof2.5Vto5.5V.ThisfeaturemakestheBL3406BsuitableforsinglecellLi-ionbattery-poweredapplications. FEATURES	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海贝岭上海贝岭股份有限公司	Belling
BL3406B-Adj	文件：462.99 Kbytes Page：11 Pages	1.5MHz,800mASynchronousBuckConverter DESCRIPTION TheBL3406Bisaconstantfrequency,1.5MHz,slopecompensatedcurrentmodePWMstep-downconverterworkingunderaninputvoltagerangeof2.5Vto5.5V.ThisfeaturemakestheBL3406BsuitableforsinglecellLi-ionbattery-poweredapplications. FEATURES	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海贝岭上海贝岭股份有限公司	Belling
BM3406	文件：214.07 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhnancementModeMOSFET	booklyBookly Micro electronic 百力微电子上海百力微电子股份有限公司	bookly
BM3406AC-TR	文件：214.07 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhnancementModeMOSFET	booklyBookly Micro electronic 百力微电子上海百力微电子股份有限公司	bookly
BM3406AC-TRL	文件：214.07 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhnancementModeMOSFET	booklyBookly Micro electronic 百力微电子上海百力微电子股份有限公司	bookly
BM3406AC-TU	文件：214.07 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhnancementModeMOSFET	booklyBookly Micro electronic 百力微电子上海百力微电子股份有限公司	bookly
BM3406AC-TUL	文件：214.07 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhnancementModeMOSFET	booklyBookly Micro electronic 百力微电子上海百力微电子股份有限公司	bookly
CJ3406	文件：540.55 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJ3406	文件：1.10202 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU

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更多BC3406供应商更新时间2025-7-24 13:51:00

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