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F338A	文件：235.12 Kbytes Page：2 Pages	HCMOS3.2x2.5mm3.3VSMDOscillator	FOX Fox Electronics	FOX
FDN338	文件：85.19 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription ThisP-Channel2.5VspecifiedMOSFETusesFairchild’sadvancedlowvoltagePowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforbatterypowermanagementapplications. Features ·–1.6A,–20V.RDS(ON)=115mW@VGS=–4.5V RDS(ON)=155mW@VGS=	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDN338	文件：2.74912 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET GeneralFEATURE ●TrenchFETPowerMOSFET ●Leadfreeproductisacquired ●Surfacemountpackage APPLICATION ●LoadSwitchforPortableDevices ●DC/DCConverter	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
FDN338P	文件：85.19 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription ThisP-Channel2.5VspecifiedMOSFETusesFairchild’sadvancedlowvoltagePowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforbatterypowermanagementapplications. Features ·–1.6A,–20V.RDS(ON)=115mW@VGS=–4.5V RDS(ON)=155mW@VGS=	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDN338P	文件：1.91559 Mbytes Page：4 Pages	20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET VDS=-20V RDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-1.6A=115mΩ RDS(ON),Vgs@-2.5V,Ids@-1.3A=155mΩ Features Advancedtrenchprocesstechnology HighDensityCellDesignForUltraLowOn-Resistance	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
FDN338P	文件：1.7249 Mbytes Page：3 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET Application ●Load/PowerSwitching ●InterfacingSwitching ●LogicLevelShift	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
FDN338P	文件：601.84 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE TrenchFETPowerMOSFET	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
FDN338P	文件：572.58 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION LoadSwitchforPortableDevices DC/DCConverter	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
FDN338P-NL	文件：1.039819 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FK338	文件：80.84 Kbytes Page：1 Pages	HCMOS3.3V32.768kHzSMDOscillator	FOX Fox Electronics	FOX

详细参数

型号：
BC338BPSTOB
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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