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BC338NPN	文件：122.73 Kbytes Page：5 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS GeneralPurposeTransistorsBestSuitedforuseinDriverandOutputStagesofAudioAmplifier	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BC338-XBK	文件：95.06 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeSi-EpitaxialPlanarTransistors GeneralPurposeSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation625mW •PlasticcaseTO-92(10D3) •Weightapprox.0.18g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Specialpackagingbulk	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BD338	文件：424.47 Kbytes Page：9 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS P-N-PepitaxialbasetransistorsinmonolithicDarlingtoncircuitforaudiooutputstagesandgeneralamplifierandswitchingapplications;plasticSOT-82envelopeforclipmounting;canalsobesolderedoradhesivemountedintoahybirdcircuit.N-P-Ncomplem	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BD338	文件：275.97 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BF338	文件：14.55 Kbytes Page：1 Pages	BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO39MetalPackage	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
BPR338FJ	文件：269.63 Kbytes Page：2 Pages	SquaremetalplateresistorRectangularTypeMetalPlateResistors ■Features ●Thisisapowertypecurrentdetectionresistor. ●Flameretardantresistorinceramiccase. ●Automaticinsertionofterminalswithapitchof5mmispossible. (26type,58type) ●Lowinductance. ●Smallfootprint. ●Powertyperesistor. ●FlameretardantresistorsinCeramicC	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BPR338FK	文件：269.63 Kbytes Page：2 Pages	SquaremetalplateresistorRectangularTypeMetalPlateResistors ■Features ●Thisisapowertypecurrentdetectionresistor. ●Flameretardantresistorinceramiccase. ●Automaticinsertionofterminalswithapitchof5mmispossible. (26type,58type) ●Lowinductance. ●Smallfootprint. ●Powertyperesistor. ●FlameretardantresistorsinCeramicC	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BUZ338	文件：224.92 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalanche-rated) SIPMOS®PowerTransistor •Nchannel •Enhancementmode •Avalanche-rated	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BUZ338	文件：348.06 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=13.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
C338S	文件：892.26 Kbytes Page：3 Pages	MAXIMUMRATINGS,ELECTRICALSPECIFICATIONS	COTO Coto Technology	COTO

详细参数

型号：
BC338_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN 25V 800mA HFE/63
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多BC338_Q供应商更新时间2025-7-22 17:24:00

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