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BD237G	文件：68.89 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerBipolarTransistors PlasticMediumPowerBipolarTransistors Designedforusein5.0to10Waudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. Features •DCCurrentGain−hFE=40(Min)@IC=0.15Adc •EpoxyMeetsUL94V0@0.125in •ESDRatings:HumanBodyModel,3B;>	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD237G	文件：93.13 Kbytes Page：5 Pages	PlasticMediumPowerBipolarTransistors PlasticMediumPowerBipolarTransistors Designedforusein5.0to10Waudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. Features •DCCurrentGain−hFE=40(Min)@IC=0.15Adc •EpoxyMeetsUL94V0@0.125in •ESDRatings:HumanBodyModel,3B;>	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD237NPN	文件：492.4 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS EPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearSwitchingApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BD237-S	文件：74.44 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTOR IntendedforuseinMediumPowerLinearSwitchingApplications TO126PlasticPackage	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BD237STU	文件：44.3 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearandSwitchingApplications MediumPowerLinearandSwitchingApplications •ComplementtoBD234/236/238respectively	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD237-TU	文件：2.48834 Mbytes Page：5 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ComplementtoBD234/BD236/BD238respectively	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BF237	文件：226.57 Kbytes Page：2 Pages	TO-92PlasticPackageTransistors(NPN)	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
C237DS	文件：803.21 Kbytes Page：11 Pages	MeetRoHS,GreenProduct.	TO-GRACEHK TO-GRACE TECHNOLOGY CO.,LTD. 至恩科技香港至恩科技有限公司	TO-GRACE
C237S	文件：383.31 Kbytes Page：2 Pages	ContactForm:C237S:1a/C337S:2aLoadVoltage:60VMaximum	COTO Coto Technology	COTO
CP237	文件：201.99 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalTransistorNPN-SaturatedSwitchTransistorChip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize30x30MILS DieThickness9.0MILS BaseBondingPadArea4.4x12.5MILS EmitterBondingPadArea4.4x12.5MILS TopSideMetalizationAl-30,000Å BackSideMetalizationAu-12,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

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产品属性

产品编号：
BC237CG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
380 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 45V 0.1A TO92

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