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BD237	文件：100.85 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD234/236/238 APPLICATIONS •Formediumpowerlinearandswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD237	文件：68.89 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerBipolarTransistors PlasticMediumPowerBipolarTransistors Designedforusein5.0to10Waudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. Features •DCCurrentGain−hFE=40(Min)@IC=0.15Adc •EpoxyMeetsUL94V0@0.125in •ESDRatings:HumanBodyModel,3B;>	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD237	文件：130.06 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD234/236/238 APPLICATIONS •Formediumpowerlinearandswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD237	文件：232.89 Kbytes Page：9 Pages	LowvoltageNPNpowertransistors Description ThedevicesaremanufacturedinPlanartechnologywith“BaseIsland”layout.Theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage.ThePNPtypeisBD238. Features ■Lowsaturationvoltage ■NPNtransistors Applications ■Audio,	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BD237	文件：265.99 Kbytes Page：5 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BD237	文件：58.18 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES PowerdissipationPCM:1.25W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:2A Collector-basevoltageV(BR)CBO:BD233:45VBD235:60VBD237:100V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ:150℃Tstg:-65℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
BD237	文件：261.41 Kbytes Page：9 Pages	NPNpowertransistors Description ThedevicesaremanufacturedinPlanartechnologywith“BaseIsland”layout.Theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage.ThePNPtypesareBD236andBD238respectively. Features ■NPNtransistors Applications ■Audio,	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BD237	文件：2.48834 Mbytes Page：5 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ComplementtoBD234/BD236/BD238respectively	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BD237	文件：113.02 Kbytes Page：3 Pages	80V,NPNTRANSISTORS DESCRIPTION TheUTCBD237isanNPNtransistor.itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithhighcollector-emitterbreakdownvoltage,etc. FEATURES ComplementtoUTCBD238respectively Highcollector-emitterbreakdownvoltage	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
BD237	文件：492.4 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS EPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearSwitchingApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL

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产品属性

产品编号：
BC237CG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
380 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 45V 0.1A TO92

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